华晶分立器件
1.15
VGS （ th）时，阈值电压， Nomalized
1.05
1
0.95
0.9
0.85
0.8
0.75
0.7
0.65
-75
VGS=0V
ID=250μA
R
○
CS4N60FA9HD
1.1
BVDSS ，漏极至源极
击穿电压，归
1.1
1.05
1
0.95
VGS=0V
ID=250μA
0.9
-50
-25
0
25 50 75 100 125 150 175
TJ ，结温，C
-55
-30
-5
20
45
70
95
120
TJ ，结温，C
145
170
图11典型Theshold电压随结温
10000
图12典型击穿电压VS结温
12
VGS ，门源电压，电压
VDS=180V
10
8
6
4
2
0
VDS=360V
VDS=480V
1000
电容，PF
西塞
100
科斯
10
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
西塞=的Cgs + Cgd的
COSS =硫化镉+ Cgd的
CRSS = Cgd的
CRSS
I
D
=2A
1
0.1
1
10
VDS ，漏极 - 源极电压，电压
100
0
2
4
6
8
10 12 14
QG ，总栅极电荷， NC
16
18
20
图13典型电容VS漏极至源极电压
8
ISD ，反向漏电流，安培
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
VSD ，源 - 漏极电压，电压
1.2
+150℃
+25℃
-55℃
图14典型栅极电荷VS门源电压
100
ID ，漏电流，安培
起动TJ = 25 ℃
10
起动TJ = 150 ℃
1
如果R = 0 ：吨
AV
= （L * I
AS
) / (1.38V
DSS
-V
DD
)
如果R = 0 ：吨
AV
= （ L / R） 。在[ IAS * R / （ 1.38V
DSS
-V
DD
)+1]
R等于漏极电路的总串联电阻
0.1
1.00E-06 1.00E-05 1.00E-04 1.00E-03 1.00E-02 1.00E-01 1.00E+00
TAV ，时间在雪崩，秒
图15典型的体二极管传输特点
图16非钳位感应开关能力
第10 6
WUXICHINARESOURCESHUA JINGMICROELECTRONICSC O操作。 ， LT ð 。
2 0 11
ETC [ ETC ]
