华晶分立器件
硅
概述
：
CS4N60FA9HD,
该
硅
N沟道
增强
VDMOSFETs ，通过自对准的平面技术得到
这减少了传导损耗，提高开关
性能和增强的雪崩能量。晶体管
可以为系统中的各种功率开关电路，用于
小型化和更高的效率。封装形式为
TO- 220F ，符合RoHS标准。
R
○
N沟道
功率MOSFET
CS4N60FA9HD
V
DSS
I
D
P
D
(T
C
=25℃)
R
DS （ ON）典型值
600
4
30
2.0
V
A
W
Ω
产品特点：
快速开关
ESD能力的改进
低栅电荷
（典型数据：为13nC ）
低反向传输电容
（典型： 4.2pF ）
100％的单脉冲雪崩能量测试
应用
：
适配器和充电器的功率开关电路。
绝对
“ TC ”
25 ℃除非另有规定）
：
符号
V
DSS
I
D
I
DM
a1
参数
漏极至源极电压
连续漏电流
连续漏电流T
C
= 100 °C
漏电流脉冲
栅极 - 源极电压
等级
600
4
2.9
16
±30
250
30
2.5
5.0
30
0.24
3000
单位
V
A
A
A
V
mJ
mJ
A
V / ns的
W
W/℃
V
V
GS
E
AS
E
AR
I
AR
a2
a1
单脉冲雪崩能量
雪崩能量，重复
雪崩电流
a1
a3
dv / dt的
P
D
峰值二极管恢复的dv / dt
功耗
降额系数高于25 ℃，
门源ESD（ HBM -C = 100pF电容， R = 1.5kΩ上）
工作结存储温度范围
MaximumTemperature焊锡
V
ESD （G -S ）
T
J
，T
英镑
T
L
150 ， -55至150
300
℃
℃
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ETC [ ETC ]
