华晶分立器件
源极 - 漏极二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
TRR
QRR
参数
连续源电流（体二极管）
最大脉冲电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
S
=4.0A,V
GS
=0V
I
S
=4.0A,T
j
= 25°C
dI
F
/dt=100A/us,
V
GS
=0V
R
○
CS4N60FA9HD
测试条件
等级
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
A
A
V
ns
µC
--
--
--
--
--
--
--
--
503
2.4
4
16
1.5
--
--
脉冲宽度tp≤380μs ， δ≤2 ％
符号
R
θ
JC
R
θ
JA
参数
结到外壳
结到环境
典型值。
4.17
100
单位
℃/W
℃/W
门源稳压二极管
符号
V
GSO
参数
栅源击穿电压
测试条件
I
GS
= ± 1毫安（漏极开路）
等级
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
20
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和
具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免
使用外部元件。
a1
a2
*重复
评级;脉冲宽度有限的最高结温
：L=10mH,
I
D
= 7.1A ，启动T
J
=25℃
a3
：I
SD
=4A,di/dt
≤100A/us,V
DD
ΔBV
DS ，
启动T
J
=25℃
WUXICHINARESOURCESHUA JINGMICROELECTRONICSC O操作。 ， LT ð 。
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ETC [ ETC ]
