WCMB2016R4X 参数 Datasheet PDF下载

型号：	WCMB2016R4X
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内容描述：	128K ×16静态RAM [128K x 16 Static RAM]
分类和应用：
文件页数/大小：	11 页 / 214 K
品牌：	WEIDA [ WEIDA SEMICONDUCTOR, INC. ]

WCMB2016R4X

Switching Waveforms

Write Cycle No. 1 (WE Controlled)

ADDRESS

SCE

PWE

BHE/BLE

DATA I/O

NOTE

HZOE

DATA

VALID

Write Cycle No. 2 (CE Controlled)

ADDRESS

SCE

PWE

BHE/BLE

DATA I/O

NOTE 17

HZOE

DATA

VALID

Note:

15. Data I/O is high impedance if OE = V

16. If CE goes HIGH simultaneously with WE HIGH, the output remains in a high-impedance state.

17. During this period, the I/Os are in output state and input signals should not be applied.

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