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VG366440(80/16)41DT(L)-8H 参数 Datasheet PDF下载

VG366440(80/16)41DT(L)-8H图片预览
型号: VG366440(80/16)41DT(L)-8H
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内容描述: CMOS同步动态RAM [CMOS Synchronous Dynamic RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 69 页 / 1363 K
品牌: VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]
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VG36644041DT / VG36648041DT / VG36641641DT  
CMOS Synchronous Dynamic RAM  
VIS  
Random Column Write (Page With Same Bank) (1 of 2)  
Burst Length=4, CAS Latency=2  
T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 T10 T11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22  
CLK  
CKE  
t
CK2  
CS  
RAS  
CAS  
WE  
*BS0  
A10  
Ra  
Ra  
Rd  
Rd  
Cb  
Cc  
Ca  
Cd  
ADD  
DQM  
Hi-Z  
Da0  
Dc2 Dc3  
Dd2 Dd3  
Da1 Da2  
Db0 Db1 Dc0  
Dd0  
Da3  
Dc1  
Dd1  
DQ  
Precharge  
Command  
Bank B  
Write  
Command  
Bank B  
Activate  
Command  
Bank B  
Write  
Command  
Bank B  
Activate  
Command  
Bank B  
Write  
Command  
Bank B  
Write  
Command  
Bank B  
* BS1=”L”, Bank C,D = Idle  
Document :1G5-0177  
Rev.2  
Page44  
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