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IRFZ44NS31B 参数 Datasheet PDF下载

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型号: IRFZ44NS31B
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内容描述: [Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 55V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB]
分类和应用: 开关脉冲晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 169 K
品牌: VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
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IRFZ44NS
N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
Ratings and
Characteristic Curves
Fig. 6 - Source-Drain Diode
Forward Voltage
100
V
GS
= 0V
0.04
I
D
= 25A
Fig. 7 – On-Resistance
vs. Gate-to-Source Voltage
10
R
DS(ON)
-- On-Resistance (Ω)
0.03
1
0.02
0.1
0.01
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V
SD
— Source-to-Drain Voltage (V)
0
4
5
6
7
8
9
10
V
GS
-- Gate-to-Source Voltage (V)
Fig. 8 – Breakdown Voltage vs.
Junction Temperature
82
Fig. 9 – Threshold Voltage
2.8
BV
DSS
-- Drain-to-Source Breakdown
Voltage (V)
80
78
76
74
72
70
68
66
64
--50 --25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.8
--50 --25
0
25
50
75
100
125
150
175
V
GS(th)
-- Gate-to-Source
Threshold Voltage (V)
T
J
-- Junction Temperature (°C)
2.4
2
1.6
1.2