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    IRFZ44NS31B 参数 Datasheet PDF下载

    IRFZ44NS31B图片预览
    型号： IRFZ44NS31B
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 55V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB]
    分类和应用： 开关脉冲晶体管
    文件页数/大小： 5 页 / 169 K
    品牌： VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
     浏览型号IRFZ44NS31B的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRFZ44NS31B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFZ44NS31B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFZ44NS31B的Datasheet PDF文件第5页  
    IRFZ44NS
    N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
    Ratings and
    Characteristic Curves
    Fig. 1 - Output Characteristics
    160
    V
    GS
    =
    I
    D
    — Drain-toSource Current (A)
    140
    10V
    7.0V
    6.0V
    100
    Fig. 2 - Transfer Characteristics
    V
    DS
    = 10V
    80
    I
    D
    — Drain Current (A)
    120
    100
    5.0V
    60
    80
    60
    4.5V
    40
    40
    20
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    V
    DS
    — Drain-to-Source Voltage (V)
    4.0V
    3.5V
    20
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    V
    GS
    — Gate-to-Source Voltage (V)
    Fig. 3 - On Resistance vs.
    Drain Current
    0.04
    V
    GS
    = 4.5V
    0.03
    5V
    Capacitance (pF)
    4000
    3500
    3000
    2500
    2000
    1500
    1000
    Fig. 4 - Capacitance
    C
    iss
    0.02
    6V
    10V
    f = 1MHz
    V
    GS
    = 0V
    0.01
    C
    rss
    500
    0
    0
    20
    40
    60
    80
    100
    120
    140
    160
    I
    D
    — Drain Current (A)
    0
    0
    C
    oss
    10
    20
    30
    40
    50
    60
    V
    DS
    — Drain-to-Source Voltage (V)
    Fig. 5 - Gate Charge
    10
    V
    GS
    — Gate-to-Source Voltage (V)
    V
    DS
    = 44V
    I
    D
    = 25A
    8
    6
    4
    2
    0
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    60
    Q
    g
    — Gate Charge (nC)

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