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V23990-K209-A-/1A/-PM 参数 Datasheet PDF下载

V23990-K209-A-/1A/-PM图片预览
型号: V23990-K209-A-/1A/-PM
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内容描述: [Insulated Gate Bipolar Transistor, 18A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel]
分类和应用: 局域网功率控制晶体管
文件页数/大小: 17 页 / 2488 K
品牌: VINCOTECH [ VINCOTECH ]
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V23990-K209-A-PM  
datasheet  
T1,T2,T3,T4,T5,T6,T7 / D1,D2,D3,D4,D5,D6,D7  
Figure 25  
IGBT  
Figure 26  
IGBT  
Gate voltage vs Gate charge  
Safe operating area as a function  
of collector-emitter voltage  
IC = f(VCE  
)
VGE = f(QGE  
20  
)
103  
17,5  
15  
100uS  
240V  
1mS  
102  
101  
100  
960V  
12,5  
10  
10mS  
100mS  
7,5  
5
DC  
2,5  
0
0
10-1  
100  
12,5  
25  
37,5  
50  
62,5  
75  
103  
101  
102  
VCE (V)  
Q g (nC)  
At  
At  
IC  
=
D =  
Th =  
8
A
single pulse  
80  
ºC  
VGE  
Tj =  
=
±15  
V
Tjmax  
ºC  
copyright Vincotech  
10  
Revision: 3