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    1N60G-TMS2-T 参数 Datasheet PDF下载

    1N60G-TMS2-T图片预览
    型号： 1N60G-TMS2-T
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Power Field-Effect Transistor,]
    分类和应用： 开关脉冲晶体管
    文件页数/大小： 7 页 / 361 K
    品牌： UTC [ Unisonic Technologies ]
     浏览型号1N60G-TMS2-T的Datasheet PDF文件第1页浏览型号1N60G-TMS2-T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1N60G-TMS2-T的Datasheet PDF文件第3页浏览型号1N60G-TMS2-T的Datasheet PDF文件第4页浏览型号1N60G-TMS2-T的Datasheet PDF文件第6页浏览型号1N60G-TMS2-T的Datasheet PDF文件第7页  
    1N60  
    Power MOSFET  
    TEST CIRCUITS AND WAVEFORMS  
    +
    D.U.T.  
    VDS  
    -
    +
    -
    L
    RG  
    Driver  
    VDD  
    * dv/dt controlled by RG  
    * ISD controlled by pulse period  
    * D.U.T.-Device Under Test  
    Same Type  
    as D.U.T.  
    VGS  
    P. W.  
    VGS  
    (Driver)  
    Period  
    D=  
    P.W.  
    Period  
    10V  
    =
    VGS  
    IFM, Body Diode Forward Current  
    ISD  
    (D.U.T.)  
    di/dt  
    IRM  
    Body Diode Reverse Current  
    Body Diode Recovery dv/dt  
    VDS  
    (D.U.T.)  
    VDD  
    Body Diode  
    Forward Voltage Drop  
    Peak Diode Recovery dv/dt Waveforms  
    UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD  
    5 of 7  
    QW-R502-052.N  
    www.unisonic.com.tw  

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