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AGR18060EU 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AGR18060EU
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内容描述: 60 W, 1805兆赫, 1880兆赫, LDMOS RF功率晶体管 [60 W, 1805 MHz-1880 MHz, LDMOS RF Power Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管放大器
文件页数/大小: 9 页 / 401 K
品牌: TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
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AG R180 60E
60 W, 1805兆赫, 1880兆赫, LDMOS RF功率晶体管
典型性能特性
(续)
80.00
70.00
60.00
50.00
40.00
30.00
20.00
10.00
0.00
0.00
P
OUT
,输出
POWERZ (瓦) ,
EFFICIENCYZ ( % )z
P
OUT
效率
IRL ,输入回波
Z
LOSSZ (分贝)z
0.0
-5.0
IRL
-10.0
-15.0
-20.0
4.50
0.50
1.00
1.50
2.00
2.50
3.00
3.50
4.00
P
IN
,输入功率(瓦)z
V
DD
= 26 V,I
DQ
= 500毫安,频率= 1842.5兆赫, CW测量。
图4.输出功率和效率与输入功率
G
PS
,功率增益(分贝)z
16
15
14
13
12
1
I
DQ
= 700毫安
I
DQ
= 300毫安
I
DQ
= 500毫安
10
P
OUT
输出功率(瓦)z
100
V
DD
= 26 V ,频率= 1842.5兆赫, CW测量。
图5.功率增益与输出功率
G
PS
,电源GAINZZ
(分贝)z
16
15
14
13
12
11
10
1760
IRL
-5
-10
-15
1780
1800
1820
1840
1860
1880
-20
1900
男,频率(MHz )z
V
DD
= 26 V,I
DQ
= 500毫安, P
IN
= 25 dBm时, CW测量。
图6.增益和IRL对战信号频率
IRL ,输入
Z
RETURNZLOSS
(分贝)的ZZ
G
PS
0