AGR18060E
60 W， 1805兆赫， 1880兆赫， LDMOS RF功率晶体管
介绍
该AGR18060E是60 W， 26 V的N沟道横向
扩散金属氧化物半导体（ LDMOS）
射频功率场效应晶体管（FET）适合
全球演进技术（EDGE ） ，全球增强型数据
系统，用于移动通信系统（GSM ） ，和单
承运人或多载波的AB类功放应用程序
阳离子。它封装在一个行业标准封装
年龄，能够提供一个最小输出的
功率为60 W，这使得它非常适合于
今天的无线基站的RF功率放大器
应用程序。
表1.热特性
参数
热阻，
结到外壳：
AGR18060EU
AGR18060EF
符号
价值
1.00
1.00
单位
° C / W
° C / W
R
ı
JC
R
ı
JC
表2.绝对最大额定值*
参数
漏源电压
栅源电压
总功耗在T
C
= 25 °C:
AGR18060EU
AGR18060EF
减免上述25
ˇC:
AGR18060EU
AGR18060EF
工作结温
TURE
存储温度范围
符号价值单位
V
DSS
65
VDC
V
GS
-0.5 ， 15 VDC
P
D
P
D
—
—
T
J
175
175
1.00
1.00
200
W
W
W / ℃，
W / ℃，
°C
°C
AGR18060EU
AGR18060EF
图1.可用的软件包
特点
典型的EDGE性能：
1880兆赫， 26 V，I
DQ
= 500毫安
- 输出功率（P
OUT
): 20 W.
- 功率增益：15分贝。
- 效率： 34 ％ 。
- 调制频谱：
@ ± 400千赫= -62 dBc的。
@ ± 600千赫= -73 dBc的。
- 错误向量幅度（EVM） = 2％。
典型的表现在整个GSM频段：
— P
1dB
：60瓦（典型值） 。
- 功率增益： @ P
1dB
= 14分贝。
- 效率@ P
1dB
= 52 ％的典型。
- 回波损耗： -10分贝。
高可靠性，金metalization过程。
低的热载流子注入（HCI）诱导的偏压漂移
超过20年。
内部匹配。
高增益，效率和线性度。
集成的ESD保护。
装置能承受10 ： 1的电压驻波
在26伏， 1805兆赫比（VSWR ） ， 60瓦continu-
OU的波（ CW）的输出功率。
可用大信号阻抗参数。
T
英镑
–65, 150
*超过绝对最大额定值的应力可能会导致
永久损坏设备。这些都是绝对压力额定
英格斯只。该设备的功能操作不暗示
在过量的这些或任何其他状况，在给定的
该数据表的操作部分。暴露在绝对
长时间最大额定值可能产生不利影响
器件的可靠性。
表3中。
ESD额定值*
AGR18060E
HBM
MM
清洁发展机制
最小值（V）的
500
50
1500
类
1B
A
4
*虽然静电放电（ ESD ）保护电路具有
被设计到这个设备，适当的预防措施必须是
注意避免接触ESD和电气过应力（ EOS ）
在所有的处理，装配和测试操作。
PEAK器件
杰尔
使用一了人体模型（HBM ）和一个充电装置
模型（CDM） ，以确定合格要求
静电敏感性限制和保护设计评估。 ESD
电压阈值依赖于所使用的电路参数
在每个模型，通过JEDEC的JESD22- A114定义
（HBM）和JESD22- C101 （CDM）的标准。
注意： MOS器件容易受到来自elec-损坏
trostatic费。在han-合理的预防措施
危及周围和包装MOS器件应
观察到。
TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
