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型号: AGR18060EU
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内容描述: 60 W, 1805兆赫, 1880兆赫, LDMOS RF功率晶体管 [60 W, 1805 MHz-1880 MHz, LDMOS RF Power Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管放大器
文件页数/大小: 9 页 / 401 K
品牌: TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
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AGR 18060 ê
60 W, 1805兆赫, 1880兆赫, LDMOS RF功率晶体管
电气特性
推荐工作条件适用,除非另有规定:T已
C
= 30 °C.
表4.直流特性
参数
= 300µA
漏源击穿电压(V
GS
= 0 V,I
D
= 90 µA)
符号
开关特性
V
( BR ) DSS
I
GSS
I
DSS
G
FS
65
典型值
最大
UN I T
VDC
门源漏电流(V
GS
= 5 V, V
DS
= 0 V)
零栅极电压漏极漏电流(V
DS
= 26 V, V
GS
= 0 V)
正向跨导(V
DS
= 10 V,I
D
= 0.45 A)
栅极阈值电压(V
DS
= 10 V,I
D
= 180 µA)
门静态电压(V
DS
= 26 V,I
D
= 500 mA)的
漏源电压(V
GS
= 10 V,I
D
= 0.45 A)
表5. RF特性
参数
基本特征
5.5
100
1.8
μAdc
μAdc
S
V
GS ( TH)
V
DS ( ON)
V
GS ( Q)
4.0
3.6
4.8
VDC
VDC
VDC
0.08
符号
动态特性
典型值
1.3
最大
UN I T
pF
双色共源放大器功率增益
(V
DD
= 26伏直流电,P
OUT
= 60瓦PEP ,我
DQ
= 500 mA时, F = 1805 MHz的
和1880兆赫,音频间隔= 100千赫)
双色漏极效率
(V
DD
= 26伏直流电,P
OUT
= 60瓦PEP ,我
DQ
= 500 mA时, F = 1805 MHz的
和1880兆赫,音频间隔= 100千赫)
三阶互调失真*
(V
DD
= 26伏直流电,P
OUT
= 60瓦PEP ,我
DQ
= 500 mA时, F = 1805 MHz的
和1880兆赫,音频间隔= 100千赫)
输入回波损耗
(V
DD
= 26伏直流电,P
OUT
= 60瓦PEP ,我
DQ
= 500 mA时, F = 1805 MHz的
和1880兆赫,音频间隔= 100千赫)
C
RSS
传输电容
(V
DS
= 26 V, V
GS
= 0中,f = 1 MHz)的
(部分是输入和输出内部匹配两者。 )
(以
杰尔系统提供的测试治具)
功能测试(在
提供的测试治具)
G
PS
15
41
–26
–10
60
dB
%
dBc的
dB
W
η
IM3
IRL
P
1dB
Ψ
耐用性
(V
DD
= 26 V ,P
OUT
= 60瓦CW ,我
DQ
= 500 mA时, F = 1880兆赫,
VSWR = 10 : 1 [所有相位角] )
1 dB增益压缩输出功率
(V
DD
= 26 V ,P
OUT
= 60瓦CW , F = 1880兆赫,我
DQ
= 500 mA)的
在产量不降低
力。