AG R180 60E
60 W， 1805兆赫， 1880兆赫， LDMOS RF功率晶体管
测试电路插图AGR18060E
R3
V
GG
R2
R1
FB1
C7
Z8
Z9
C8
Z10
C9
Z11
Z12
C10
Z13 Z14 C11
V
DD
C2
C1
C12
C13 C14
C3
Z6
1
3
DUT
Z15
2
Z7
Z1
RF输入
C5
Z2
C4
Z3
Z4
Z5
引脚
1.漏
2.门
3.源
RF
产量
一。原理图
门
GND
漏
C2
R2
R1
R3
FB1
C12 C13 C14
C3
W1
C7
C8
C10
C6
C9
C1
S2
C4
C5
2
S3
3
S4
1
C11
S1
B.组件布局
配件清单：
微带线： Z1 0.065英寸x 0.283英寸; 。 Z2 0.065英寸X 0.700英寸; Z3 0.065英寸X 0.308英寸; Z4 0.856 in.x在0.262 ; Z5 1.045英寸X 0.140英寸;
Z6 0.051英寸X 0.470英寸; Z7 1.220英寸X 0.104英寸; Z8 0.998英寸X 0.422英寸; Z9 0.132英寸X 0.050英寸; Z10 0.984英寸X 0.093英寸;
Z11 0.132英寸X 0.244英寸; Z12 0.289英寸X 0.332英寸; Z13 0.132英寸X 0.200英寸; Z14 0.065英寸X 0.250英寸
ATC
®
B案贴片电容： C3 ， C4 ： 10 pF的， 100B100JCA500X ; C11 8.2 pF的100B8R2JCA500X ; C7 1000 PF， 100B102JCA500X 。
基美
®
B案贴片电容
:
C9 ， C12 ： 0.10 μF ， CDR33BX104AKWS 。
约翰森千兆微调
®
可变电容器： C5 ， C17 ： 0.4 PF- 2.5 pF的。
Vitramon
®
1206:
C2 ， C8 ： 22000 pF的。
村田
®
0805:
C13 0.01 μF ， GRM40X7R103K100AL 。
0603:
C14 220 pF的。
商Fair-Rite
®
铁氧体磁珠： FB1 ， ＃ 2743019447 。
斯普拉格
®
钽电容，贴片： C1 ， C10 ： 22 μF ， 35 V.
固定式电影
贴片电阻：
R1 510
Ω,
1/4 W， 0.08 X 0.13 ; R2 560 kΩ的1/4 W， 0.08 X 0.13 ; R3 4.7
Ω,
1/4 W， 0.08 X 0.13 。
印刷电路板蚀刻电路板。
Taconic的
®
ORCER RF - 35 ：板料， 1盎司铜， 30密耳厚，
ε
r = 3.5.
图2. AGR18060E测试电路原理图
TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
