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型号: AGR19125EU
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内容描述: 125瓦, 1930兆赫, 1990兆赫, PCS LDMOS RF功率晶体管 [125 W, 1930 MHz-1990 MHz, PCS LDMOS RF Power Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管过程控制系统PCS放大器
文件页数/大小: 10 页 / 369 K
品牌: TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
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AGR19125E
125 W, 1930 MHz—1990 MHz, PCS LDMOS RF Power Transistor
Typical Performance Characteristics
(continued)
16
I
DQ
= 1500 mA
Gps, POWER GAIN (dB)S
15
I
DQ
= 1250 mA
I
DQ
= 900 mA
14
13
12
10
100
P
OUT
, OUTPUT POWER (W) PEPS
1000
TEST CONDITIONS:
V
DD
= 28 V, F = 1960 MHz, 100 kHz TONE SPACING.
Figure 6. Two-Tone Gain vs. Output Power
45
40
Gps, POWER GAIN (dB), DRAINS
EFFICIENCY (%)S
5
EFFICIENCY
0
-5
-10
-15
-20
-25
IMD3
-30
-35
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB),
IMD3,S INTERMODULATION
DISTORTIONS (dBc)S
35
30
25
20
15
10
5
0
1880
1900
1920
1940
1960
1980
Gps
IRL
2000
2020
2040
TEST CONDITIONS:
V
DD
= 28 V, I
DQ
= 1250 mA, P
OUT
= 125 W (PEP), 100 kHz TONE SPACING.
f, FREQUENCY (MHz)S
Figure 7. Two-Tone Broadband Performance