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CSD18511KCS 参数 Datasheet PDF下载

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型号: CSD18511KCS
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内容描述: [采用 TO-220 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET]
分类和应用: 局域网开关脉冲晶体管
文件页数/大小: 13 页 / 856 K
品牌: TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
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CSD18511KCS  
ZHCSGJ9 JULY 2017  
CSD18511KCS 40V N 通道 NexFET™功率金属氧化物半导体场效应晶体  
(MOSFET)  
1 特性  
产品概要  
1
Qg Qgd  
RDS(ON)  
TA = 25°C  
VDS  
典型值  
40  
单位  
V
漏源电压  
低热阻  
Qg  
栅极电荷总量 (10V)  
栅极电荷(栅极到漏极)  
63.9  
9.7  
nC  
nC  
雪崩额定值  
Qgd  
VGS = 4.5V  
VGS = 10V  
1.8  
3.2  
2.1  
无铅引脚镀层  
符合 RoHS 环保标准  
无卤素  
RDS(on) 漏源导通电阻  
VGS(th) 阈值电压  
mΩ  
V
晶体管 (TO)-220 塑料封装  
器件信息(1)  
数量  
器件  
CSD18511KCS  
包装介质  
封装  
运输  
2 应用范围  
TO-220  
塑料封装  
50  
次级侧同步整流器  
电机控制  
(1) 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。  
绝对最大额定值  
3 说明  
TA = 25°C  
40  
单位  
V
40V2.1mΩTO-220 NexFET™功率 MOSFET  
被设计成大大降低功率转换 损耗的理想选择。  
Drain (Pin 2)  
VDS  
VGS  
漏源电压  
栅源电压  
±20  
110  
V
持续漏极电流(受封装限制)  
持续漏极电流(受芯片限制),TC = 25°C 时  
测得  
194  
137  
ID  
A
持续漏极电流(受芯片限制),TC = 100°C  
时测得  
IDM  
PD  
脉冲漏极电流(1)  
400  
188  
A
Gate  
(Pin 1)  
功率耗散  
W
TJ, 工作结温,  
Tstg  
-55 175  
°C  
储存温度  
雪崩能量,单一脉冲  
ID = 56AL = 0.1mHRG = 25Ω  
EAS  
156  
mJ  
Source (Pin 3)  
(1) 最大 RθJC = 0.8°C/W,脉冲持续时间 100μs,占空比 1%。  
RDS(on) VGS 对比  
栅极电荷  
10  
10  
ID = 100 A  
VDS = 20 V  
TC = 25°C, I D = 100 A  
TC = 125°C, I D = 100 A  
9
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
20  
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
VGS - Gate-to-Source Voltage (V)  
Qg - Gate Charge (nC)  
D007  
D004  
1
An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,  
intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.  
English Data Sheet: SLPS548  
 
 
 
 
 
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