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CSD18511KCS
ZHCSGJ9 –JULY 2017
CSD18511KCS 40V N 通道 NexFET™功率金属氧化物半导体场效应晶体
管 (MOSFET)
1 特性
产品概要
1
•
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•
•
•
•
低 Qg 和 Qgd
低 RDS(ON)
TA = 25°C
VDS
典型值
40
单位
V
漏源电压
低热阻
Qg
栅极电荷总量 (10V)
栅极电荷(栅极到漏极)
63.9
9.7
nC
nC
雪崩额定值
Qgd
VGS = 4.5V
VGS = 10V
1.8
3.2
2.1
无铅引脚镀层
符合 RoHS 环保标准
无卤素
RDS(on) 漏源导通电阻
VGS(th) 阈值电压
mΩ
V
晶体管 (TO)-220 塑料封装
器件信息(1)
数量
器件
CSD18511KCS
包装介质
管
封装
运输
管
2 应用范围
TO-220
塑料封装
50
•
•
次级侧同步整流器
电机控制
(1) 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。
绝对最大额定值
3 说明
TA = 25°C
值
40
单位
V
此 40V、2.1mΩ、TO-220 NexFET™功率 MOSFET
被设计成大大降低功率转换 损耗的理想选择。
Drain (Pin 2)
VDS
VGS
漏源电压
栅源电压
±20
110
V
持续漏极电流(受封装限制)
持续漏极电流(受芯片限制),TC = 25°C 时
测得
194
137
ID
A
持续漏极电流(受芯片限制),TC = 100°C
时测得
IDM
PD
脉冲漏极电流(1)
400
188
A
Gate
(Pin 1)
功率耗散
W
TJ, 工作结温,
Tstg
-55 至 175
°C
储存温度
雪崩能量,单一脉冲
ID = 56A,L = 0.1mH,RG = 25Ω
EAS
156
mJ
Source (Pin 3)
(1) 最大 RθJC = 0.8°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%。
RDS(on) 与 VGS 对比
栅极电荷
10
10
ID = 100 A
VDS = 20 V
TC = 25°C, I D = 100 A
TC = 125°C, I D = 100 A
9
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
10
20
30
40
50
60
70
VGS - Gate-to-Source Voltage (V)
Qg - Gate Charge (nC)
D007
D004
1
An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,
intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.
English Data Sheet: SLPS548