THN6601B 参数 Datasheet PDF下载

型号：	THN6601B
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内容描述：	NPN硅锗RF晶体管 [NPN SiGe RF TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	7 页 / 281 K
品牌：	TACHYONICS [ TACHYONICS CO,. LTD ]

规范

THN6601B

集电极电流

与集电极到发射极电压

0.7

0.6

集电极电流，I

(A)

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.0

步= 1.8微米的

增益带宽积

与集电极电流

= 5 V

= 7 V

增益带宽积，女

（千兆赫）

100

1000

集电极EM伊特尔电压，V

(V)

集电极电流，I

（MA ）

插入功率增益

与集电极电流

最大可用增益

与集电极电流

最大可用增益， MAG （分贝）

插入功率增益| S

| （ dB）的

= 5 V

= 7 V

F = 1 GHz的

= 5 V

= 7 V

F = 1 GHz的

100

1000

100

1000

集电极电流，I

（MA ）

集电极电流，I

（MA ）

http://www.tachyonics.co.kr

2005年7月。

第4 7

1.0版

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