THN6601B 参数 Datasheet PDF下载

型号：	THN6601B
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内容描述：	NPN硅锗RF晶体管 [NPN SiGe RF TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	7 页 / 281 K
品牌：	TACHYONICS [ TACHYONICS CO,. LTD ]

规范

□

典型特征（T

= 25

℃

除非另有规定编）

功耗

- 环境温度

反向传输电容，C

（PF ）

2.0

4.0

3.5

3.0

THN6601B

反向传输电容

与集电极 - 基极电压

集电极耗散功率，P

合计

(W)

1.5

1.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

100

125

150

环境温度，T

( C)

集电极 - 基极电压，V

(V)

直流电流增益

与集电极电流

160

140

直流电流增益，H

120

100

= 5 V

集电极电流

与基地发射极电压

集电极电流，I

（MA ）

= 5 V

-3

-2

-1

0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0

集电极电流，I

(A)

基地发射极电压，V

(V)

http://www.tachyonics.co.kr

2005年7月。

第3页7

1.0版

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