THN6601B 参数 Datasheet PDF下载

型号：	THN6601B
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内容描述：	NPN硅锗RF晶体管 [NPN SiGe RF TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	7 页 / 281 K
品牌：	TACHYONICS [ TACHYONICS CO,. LTD ]

规范

□

热特性

符号

Ĵ -S

参数

热阻结

到焊接点

条件

合计

= 1.5瓦;牛逼

= 60

℃;

注1

THN6601B

价值

单位

K / W

注1中。T

是在集电针的焊接点的温度。

□

电气特性

= 25

℃)

参数

集电极截止电流

符号

CBO

首席执行官

发射极截止电流

直流电流增益

增益带宽积

EBO

测试条件

= 19 V，I

= 0毫安

= 12 V，I

= 0毫安

= 1.5 V，I

= 0毫安

= 5 V，I

= 100毫安

= 5 V，I

= 100毫安

= 7 V，I

= 100毫安

最大可用增益

MAG

= 5 V，I

= 100 mA时， F = 1 GHz的

= 7 V，I

= 100 mA时， F = 1 GHz的

插入功率增益

= 5 V，I

= 100 mA时， F = 1 GHz的

= 7 V，I

= 100 mA时， F = 1 GHz的

反向传输电容

= 6 V，I

= 0 mA时， F = 1兆赫

7.0

1.9

分钟。

典型值。

马克斯。

0.5

300

GHz的

单位

㎂

□

分类

记号

价值

R1601

50 - 200

R1601

170 - 300

http://www.tachyonics.co.kr

2005年7月。

第2 7

1.0版

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