THN6601B 参数 Datasheet PDF下载

型号：	THN6601B
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内容描述：	NPN硅锗RF晶体管 [NPN SiGe RF TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	7 页 / 281 K
品牌：	TACHYONICS [ TACHYONICS CO,. LTD ]

规范

NPN硅锗RF晶体管

SOT223

THN6601B

以毫米单位

□

应用

- UHF和VHF宽频带放大器

6.5

3.0

□

特点

- 高增益带宽积

= 7 GHz的

- 高功率增益

= 7分贝@ V

= 5 V，I

= 100 mA时， F = 1 GHz的

- 高功率

OUT

= 32 dBm的（ 1.5 W） @ V

= 6 V，I

= 5毫安， F = 465 MHz的

2.3

0.7

4.6

3.5

7.0

引脚配置

1.发射器

2.基

3.辐射源

4.收集

□

绝对最大额定值

= 25

℃)

参数

集电极基极击穿电压

集电极到发射极击穿电压

发射极基极击穿电压

集电极电流

总功耗

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

合计

英镑

评级

500

1.5

150

-65 ~ 150

单位

℃

http://www.tachyonics.co.kr

2005年7月。

第1页7

1.0版

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