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STM8S003F3P6 参数 Datasheet PDF下载

STM8S003F3P6图片预览
型号: STM8S003F3P6
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内容描述: 价值线, 16兆赫STM8S 8位MCU , 8 KB闪存, 128字节的数据EEPROM , 10位ADC , 3个定时器, UART , SPI , I& SUP2 ; ç [Value line, 16 MHz STM8S 8-bit MCU, 8 Kbytes Flash, 128 bytes data EEPROM, 10-bit ADC, 3 timers, UART, SPI, I²C]
分类和应用: 闪存可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 99 页 / 952 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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STM8S003K3 STM8S003F3
电气特性
条件
符号参数
最大˚F
HSE
/f
中央处理器
一般
条件
受监控
频段为16 MHz / 16 MHz的/
8兆赫
16兆赫
单位
符合130兆赫
SAE IEC
61967-2
130 MHz至
1 GHz的
SAE EMI
水平
(1)
5
5
SAE EMI水平
2.5
2.5
根据表征结果的数据,而不是在生产测试。
9.3.11.4
绝对最大额定值(电子灵敏度)
基于使用特定的测量方法中,三个不同的测试( ESD, DLU和LU)
产品被强调,以确定其在电气灵敏度方面的性能。欲了解更多
详细信息,请参阅应用笔记AN1181 。
9.3.11.5
静电放电( ESD )
静电放电(正则1秒隔开一个负脉冲)被施加
向每个样品中根据每个销组合的插针。样本大小取决于
的电源引脚,该装置中的数(3份*第(n + 1)电源引脚) 。一个模型可以模拟:
人体模特。这个测试符合JESD22- A114A / A115A标准。欲了解更多
详细信息,请参阅应用笔记AN1181 。
表49 : ESD绝对最大额定值
符号
V
静电放电( HBM)的
评级
条件
最大的类股
价值
静电放电
电压
(人体模型)
T
A
= 25℃ ,符合
JESD22-A114
A
4000
V
V
静电放电(CDM)的
静电放电
电压
(充电设备型号)
T
A
LQFP32封装=
25℃ ,符合
SD22-C101
IV
1000
DocID018576第2版
87/99