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STM8S003F3P6 参数 Datasheet PDF下载

STM8S003F3P6图片预览
型号: STM8S003F3P6
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内容描述: 价值线, 16兆赫STM8S 8位MCU , 8 KB闪存, 128字节的数据EEPROM , 10位ADC , 3个定时器, UART , SPI , I& SUP2 ; ç [Value line, 16 MHz STM8S 8-bit MCU, 8 Kbytes Flash, 128 bytes data EEPROM, 10-bit ADC, 3 timers, UART, SPI, I²C]
分类和应用: 闪存可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 99 页 / 952 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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电气特性
资格预审试验
STM8S003K3 STM8S003F3
大部分的常见故障(意外复位,程序计数器腐败)可
通过在NRST引脚或振荡器引脚1秒施加低的状态恢复。
完成这些试验中, ESD应力下,可以直接在设备上施加过度的范围
规范值。当检测到异常行为,该软件可以被硬化
以防止发生不可恢复的错误。请参见应用笔记AN1015 (软件技术
为提高微控制器EMC性能) 。
表47 : EMS数据
符号参数
V
FESD
条件
水平/
电压范围是
适用于任何I / O引脚到V
DD
= 3.3 V ,T
A
= 25 ° C,F
= 16 MHz的
2/B
诱导功能
( HSI时钟) ,符合IEC 61000-4-2
骚乱
快速的瞬态电压
要施加突发限制
通过100 pF的对V
DD
V
DD
= 3.3 V ,T
A
= 25 ° C,F
= 16 MHz的4 / A
和V
SS
销诱使( HSI时钟) ,符合IEC 61000-4-4
功能障碍
V
EFTB
(1)
人类猪型流感的时钟配置获得的数据,运用硬件描述后建议
在AN2860 (EMC准则STM8S微控制器) 。
9.3.11.3
电磁干扰( EMI)的
基于对产物(切换2个LED通过I / O端口)上运行的简单应用,
该产品是在排放方面的监测。该发射试验是在规范SAE线
IEC 61967-2指定董事会和每个引脚的加载。
表48 :EMI数据
条件
符号参数
最大˚F
HSE
/f
中央处理器
一般
条件
受监控
频段为16 MHz / 16 MHz的/
8兆赫
16兆赫
单位
峰值电平
S
EMI
V
DD
= 5 V
T
A
= 25 °C
LQFP32
0.1 MHz到
30兆赫
30MHz至
5
5
dBμV的
4
5
86/99
DocID018576第2版