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STM8S003F3P6 参数 Datasheet PDF下载

STM8S003F3P6图片预览
型号: STM8S003F3P6
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内容描述: 价值线, 16兆赫STM8S 8位MCU , 8 KB闪存, 128字节的数据EEPROM , 10位ADC , 3个定时器, UART , SPI , I& SUP2 ; ç [Value line, 16 MHz STM8S 8-bit MCU, 8 Kbytes Flash, 128 bytes data EEPROM, 10-bit ADC, 3 timers, UART, SPI, I²C]
分类和应用: 闪存可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 99 页 / 952 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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STM8S003K3 STM8S003F3
3.
终点相关线
电气特性
E
T
=总非调整误差:实际与理想之间传输的最大偏差
曲线。
E
O
=偏移错误:第一个实际的转型和第一理想的之间的偏差。
E
G
=增益误差:最后一个理想的过渡,最后实际产品之间的偏差。
E
D
=微分线性误差:实际步骤与理想之间的最大偏差
1 。
E
L
=积分非线性误差:任何实际的过渡和结束之间的最大偏差
点相关线。
图43 :典型应用与ADC
VDD
VT
0.6 V
10位A / D
转变
VT
0.6 V
IL
± 1 µA
CADC
STM8
VAIN
RAIN
AINx
CAIN
9.3.11
EMC特性
药敏试验,在产品特性上以抽样方式进行。
9.3.11.1
功能性EMS (电磁敏感性)
当执行一个简单的应用程序(切换2个LED通过I / O端口) ,该产品是
由两个电磁事件,直到发生故障时强调(由LED指示)。
FESD :功能的静电放电(正和负)被施加在所有针
该设备直至功能障碍发生。该测试符合的IEC 61000-4-2
标准。
快速瞬态电压(正和负)被施加到
和V
FTB : ofpF电容一阵,直到功能障碍发生。这testVconforms与
通过100
DD
SS
在IEC 61000-4-4标准。
器件复位允许恢复了正常运行。测试结果列于表中给出
下面,根据应用笔记AN1709中定义的EMS级别和类别(电磁兼容设计
为引导STMicrocontrollers ) 。
9.3.11.2
设计硬软件,以避免噪音问题
EMC特性和优化,在组件级具有典型的执行
应用环境,简化MCU软件。但是应当注意的是,良好的EMC
性能高度依赖于用户应用,特别是软件。
因此,建议用户施加EMC软件优化和
资格预审测试与要求为他申请了EMC等级关系。
DocID018576第2版
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