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STM32F103RCY6TR 参数 Datasheet PDF下载

STM32F103RCY6TR图片预览
型号: STM32F103RCY6TR
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内容描述: 高密度高性能线的基于ARM的32位MCU,具有256至512KB闪存, USB , CAN ,11个定时器, 3的ADC ,13个通信接口 [High-density performance line ARM-based 32-bit MCU with 256 to 512KB Flash, USB, CAN, 11 timers, 3 ADCs, 13 communication interfaces]
分类和应用: 闪存通信
文件页数/大小: 123 页 / 1691 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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STM32F103xC , STM32F103xD , STM32F103xE
电气特性
输入/输出交流特性
的定义和输入/输出的交流特性值中给出
分别。
除非另有说明,所述参数在给定的
从测试得到的
环境温度和V下进行
DD
电源电压条件总结在
表47 。
I / O AC特性
(1)
参数
条件
最大
2
125
(3)
C
L
= 50 pF的,V
DD
= 2 V至3.6 V
125
(3)
10
25
(3)
C
L
= 50 pF的,V
DD
= 2 V至3.6 V
25
(3)
C
L
= 30 pF的,V
DD
= 2.7 V至3.6 V
F
MAX( IO )出
最大频率
(2)
C
L
= 50 pF的,V
DD
= 2.7 V至3.6 V
C
L
= 50 pF的,V
DD
= 2 V至2.7 V
C
L
= 30 pF的,V
DD
= 2.7 V至3.6 V
11
t
F( IO )出
输出高到低
水平下降时间
C
L
= 50 pF的,V
DD
= 2.7 V至3.6 V
C
L
= 50 pF的,V
DD
= 2 V至2.7 V
C
L
= 30 pF的,V
DD
= 2.7 V至3.6 V
t
R( IO )出
输出从低到高
海平面上升时间
脉冲宽度
外部信号
通过EXTI检测
调节器
C
L
= 50 pF的,V
DD
= 2.7 V至3.6 V
C
L
= 50 pF的,V
DD
= 2 V至2.7 V
50
30
20
5
(3)
8
(3)
12
(3)
5
(3)
8
(3)
12
(3)
ns
兆赫
兆赫
兆赫
ns
兆赫
ns
单位
兆赫
MODEx [1 :0]的
符号
位值
(1)
f
MAX( IO )出
最大频率
(2)
C
L
= 50 pF的,V
DD
= 2 V至3.6 V
10
t
F( IO )出
t
R( IO )出
输出高到低
水平下降时间
输出从低到高
海平面上升时间
f
MAX( IO )出
最大频率
(2)
C
L
= 50 pF的,V
DD
= 2 V至3.6 V
01
t
F( IO )出
t
R( IO )出
输出高到低
水平下降时间
输出从低到高
海平面上升时间
-
t
EXTIpw
10
ns
位:1的I / O速度是使用MODEx [0 1]构成。参阅对一个和STM32F10xxx参考手册
GPIO端口配置寄存器的描述。
2.最大频率被限定
3.由设计保证,而不是在生产测试。
文档ID 14611第七版
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