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    STM32F103RCY6TR 参数 Datasheet PDF下载

    STM32F103RCY6TR图片预览
    型号： STM32F103RCY6TR
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高密度高性能线的基于ARM的32位MCU，具有256至512KB闪存， USB ， CAN ，11个定时器， 3的ADC ，13个通信接口 [High-density performance line ARM-based 32-bit MCU with 256 to 512KB Flash, USB, CAN, 11 timers, 3 ADCs, 13 communication interfaces]
    分类和应用： 闪存通信
    文件页数/大小： 123 页 / 1691 K
    品牌： STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
     浏览型号STM32F103RCY6TR的Datasheet PDF文件第82页浏览型号STM32F103RCY6TR的Datasheet PDF文件第83页浏览型号STM32F103RCY6TR的Datasheet PDF文件第84页浏览型号STM32F103RCY6TR的Datasheet PDF文件第85页浏览型号STM32F103RCY6TR的Datasheet PDF文件第87页浏览型号STM32F103RCY6TR的Datasheet PDF文件第88页浏览型号STM32F103RCY6TR的Datasheet PDF文件第89页浏览型号STM32F103RCY6TR的Datasheet PDF文件第90页  
    电气特性
    STM32F103xC ， STM32F103xD ， STM32F103xE
    图42. I / O AC特性的定义
    90%
    50%
    10%
    转ernal
    产量
    ON 50pF的
    TR （ I O ）出
    T
    10%
    50%
    90%
    TR （ I O ）出
    如果最高频率达到（ TR + TF ）
    2/3)T
    如果占空比为（ 45-55％ ） 
    当50pF的负载
    ai14131
    5.3.14
    NRST引脚特性
    NRST引脚输入驱动器采用CMOS工艺。它被连接到一个永久拉
    电阻R
    PU
    （见
    表45）。
    除非另有说明，所述参数在给定的
    表48
    从测试得到的
    环境温度和V下进行
    DD
    电源电压条件总结在
    表10 。
    表48 。
    符号
    NRST引脚特性
    参数
    条件
    民
    –0.5
    2
    200
    V
    IN
    �½
    V
    SS
    30
    40
    50
    100
    300
    典型值
    最大
    0.8
    V
    V
    DD
    +0.5
    mV
    k
    ns
    ns
    单位
    V
    IL(NRST)(1)
    NRST输入低电平电压
    V
    IH(NRST)(1)
    NRST输入高电平电压
    V
    HYS （ NRST ）
    R
    PU
    V
    F(NRST)(1)
    NRST施密特触发器电压
    迟滞
    弱上拉等效电阻
    (2)
    NRST输入滤波脉冲
    V
    NF(NRST)(1)
    NRST输入不过滤脉冲
    1.由设计保证，而不是在生产测试。
    2.上拉设计有串联一个真正的阻力与PMOS开关。这PMOS的贡献
    到串联电阻必须最小
    （ 〜 10 ％的顺序）
    .
    图43.推荐NRST引脚保护
    VDD
    NRST
    (2)
    RPU
    滤波器
    0.1
    µF
    内部复位
    外
    复位电路
    (1)
    STM32F10xxx
    ai14132c
    2.复位网络保护免受寄生复位装置。
    3.用户必须确保在NRST引脚的电平可以去下面的V
    白细胞介素（ NRST ）
    最高级别指定的
    表48 。
    否则复位将不通过该装置加以考虑。
    86/123
    文档ID 14611第七版

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