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    STM32F103RCY6TR 参数 Datasheet PDF下载

    STM32F103RCY6TR图片预览
    型号： STM32F103RCY6TR
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    内容描述： 高密度高性能线的基于ARM的32位MCU，具有256至512KB闪存， USB ， CAN ，11个定时器， 3的ADC ，13个通信接口 [High-density performance line ARM-based 32-bit MCU with 256 to 512KB Flash, USB, CAN, 11 timers, 3 ADCs, 13 communication interfaces]
    分类和应用： 闪存通信
    文件页数/大小： 123 页 / 1691 K
    品牌： STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
     浏览型号STM32F103RCY6TR的Datasheet PDF文件第77页浏览型号STM32F103RCY6TR的Datasheet PDF文件第78页浏览型号STM32F103RCY6TR的Datasheet PDF文件第79页浏览型号STM32F103RCY6TR的Datasheet PDF文件第80页浏览型号STM32F103RCY6TR的Datasheet PDF文件第82页浏览型号STM32F103RCY6TR的Datasheet PDF文件第83页浏览型号STM32F103RCY6TR的Datasheet PDF文件第84页浏览型号STM32F103RCY6TR的Datasheet PDF文件第85页  
    STM32F103xC ， STM32F103xD ， STM32F103xE
    资格预审试验
    电气特性
    大部分的常见故障（意外复位，程序计数器腐败）可
    通过手动强制在NRST引脚或振荡器引脚1的低复制状态
    第二个。
    完成这些试验中， ESD应力下，可以直接在设备上施加过度的范围
    规范值。当检测到异常行为，该软件可以被硬化
    以防止发生不可恢复的错误（参见应用笔记AN1015 ） 。
    电磁干扰（ EMI）的
    通过该装置发射的电磁场时监视的简单应用程序是
    执行（切换2个LED通过I / O端口） 。这个发射测试符合
    IEC 61967-2标准，该标准规定了测试板和引脚负载。
    表42 。
    符号
    EMI特性
    参数
    条件
    受监控
    频带
    马克斯与[F
    HSE
    /f
    HCLK
    ]
    单位
    四十八分之八兆赫七十二分之八兆赫
    8
    31
    28
    4
    12
    21
    33
    4
    -
    dBμV的
    S
    EMI
    峰值电平
    为0.1〜30兆赫
    V
    DD
    �½3.3
    V，T
    A
    �½25
    °C,
    30至130兆赫
    LQFP144封装
    符合IEC
    130兆赫到1GHz
    61967-2
    SAE EMI水平
    5.3.12
    绝对最大额定值（电子灵敏度）
    基于使用特定的计量方法三个不同的测试（ ESD， LU） ，该装置是
    强调，以确定其在电气灵敏度方面的性能。
    静电放电（ ESD ）
    静电放电（正则一个负脉冲以1秒分开）是
    根据每个销组合施加到每个样本的引脚。试样尺寸
    取决于电源引脚的器件（3份×第（n + 1）电源引脚）的数目。该测试
    符合JESD22- A114 / C101标准。
    表43 。
    符号
    V
    静电放电（ HBM）的
    V
    静电放电（CDM）的
    ESD绝对最大额定值
    评级
    条件
    一流的最大值
    (1)
    单位
    2000
    V
    500
    静电放电
    T
    A
    �½+25
    ° C，符合
    2
    电压（人体模型）来JESD22- A114
    静电放电
    T
    A
    �½+25
    ° C，符合
    II
    电压（电荷设备模型）来JESD22- C101
    1.基于表征结果，而不是在生产测试。
    文档ID 14611第七版
    81/123

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