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    STM32F103RDH6TR 参数 Datasheet PDF下载

    STM32F103RDH6TR图片预览
    型号： STM32F103RDH6TR
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高密度高性能线的基于ARM的32位MCU，具有256至512KB闪存， USB ， CAN ，11个定时器， 3的ADC ，13个通信接口 [High-density performance line ARM-based 32-bit MCU with 256 to 512KB Flash, USB, CAN, 11 timers, 3 ADCs, 13 communication interfaces]
    分类和应用： 闪存通信
    文件页数/大小： 123 页 / 1691 K
    品牌： STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
     浏览型号STM32F103RDH6TR的Datasheet PDF文件第78页浏览型号STM32F103RDH6TR的Datasheet PDF文件第79页浏览型号STM32F103RDH6TR的Datasheet PDF文件第80页浏览型号STM32F103RDH6TR的Datasheet PDF文件第81页浏览型号STM32F103RDH6TR的Datasheet PDF文件第83页浏览型号STM32F103RDH6TR的Datasheet PDF文件第84页浏览型号STM32F103RDH6TR的Datasheet PDF文件第85页浏览型号STM32F103RDH6TR的Datasheet PDF文件第86页  
    电气特性
    STM32F103xC ， STM32F103xD ， STM32F103xE
    静态闩锁
    两个互补的静态试验是必需的六个部分，以评估闭锁
    性能：
    ●
    ●
    的供给过电压被施加到每个电源引脚
    电流注入应用到每个输入，输出和可配置的I / O引脚
    这些测试都符合EIA / JESD 78A IC闭锁的标准。
    表44 。
    符号
    LU
    电气敏感性
    参数
    静态闩锁类
    条件
    T
    A
    �½+105
    ℃，符合JESD78A
    类
    II A级
    5.3.13
    I / O端口特性
    通用输入/输出特性
    除非另有说明，所述参数在给定的
    表45
    从测试得到的
    总结在的条件下进行
    表10 。
    所有的I / O是CMOS和TTL
    兼容的。
    表45 。
    符号
    V
    IL
    V
    IH
    V
    IL
    V
    IH
    I / O静态特性
    参数
    输入低电平电压
    标准IO输入高电平电压
    IO FT
    (1)
    输入高电平电压
    输入低电平电压
    CMOS端口
    输入高电平电压
    标准IO施密特触发器电压
    迟滞
    (2)
    0.65 V
    DD
    200
    5% V
    DD(3)
    V
    SS
    V
    IN
    V
    DD
    标准的I / O
    V
    IN
    = 5 V,
    I / O FT
    1
    µA
    3
    30
    30
    40
    40
    5
    50
    50
    k
    k
    pF
    TTL接口
    条件
    民
    –0.5
    2
    2
    –0.5
    典型值
    最大
    0.8
    V
    V
    DD
    +0.5
    5.5V
    0.35 V
    DD
    V
    DD
    +0.5
    mV
    mV
    V
    单位
    V
    HYS
    IO FT施密特触发器电压
    迟滞
    (2)
    输入漏电流
    (4)
    弱上拉等效电阻
    (5)
    弱下拉等效电阻
    (5)
    I / O引脚的电容
    I
    LKG
    R
    PU
    R
    PD
    C
    IO
    V
    IN
    �½
    V
    SS
    V
    IN
    �½
    V
    DD
    1， FT =五伏宽容。
    施密特触发器的开关电平之间2.滞后电压。基于特征，而不是在生产测试。
    3.用最少的100毫伏。
    4.泄漏可能比最高水平。如果负电流注入上相邻的销。
    5，上拉和下拉电阻设计有串联一个真正的阻力可切换PMOS / NMOS 。这
    MOS / NMOS贡献
    串联电阻是最小
    （ 〜 10 ％的顺序）
    .
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    文档ID 14611第七版

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