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    STM32F103RDH6TR 参数 Datasheet PDF下载

    STM32F103RDH6TR图片预览
    型号： STM32F103RDH6TR
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高密度高性能线的基于ARM的32位MCU，具有256至512KB闪存， USB ， CAN ，11个定时器， 3的ADC ，13个通信接口 [High-density performance line ARM-based 32-bit MCU with 256 to 512KB Flash, USB, CAN, 11 timers, 3 ADCs, 13 communication interfaces]
    分类和应用： 闪存通信
    文件页数/大小： 123 页 / 1691 K
    品牌： STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
     浏览型号STM32F103RDH6TR的Datasheet PDF文件第75页浏览型号STM32F103RDH6TR的Datasheet PDF文件第76页浏览型号STM32F103RDH6TR的Datasheet PDF文件第77页浏览型号STM32F103RDH6TR的Datasheet PDF文件第78页浏览型号STM32F103RDH6TR的Datasheet PDF文件第80页浏览型号STM32F103RDH6TR的Datasheet PDF文件第81页浏览型号STM32F103RDH6TR的Datasheet PDF文件第82页浏览型号STM32F103RDH6TR的Datasheet PDF文件第83页  
    STM32F103xC ， STM32F103xD ， STM32F103xE
    电气特性
    图41. NAND控制器，波形普通存储器写访问
    FSMC_NCEx
    低
    ALE （ FSMC_A17 ）
    CLE （ FSMC_A16 ）
    t
    D（ ALE - NOE ）
    FSMC_NWE
    t
    W（ NWE ）
    t
    H（ NOE - ALE ）
    FSMC_NOE
    t
    D（ D- NWE ）
    t
    V（ NWE -D ）
    FSMC_D [15 ：0]的
    t
    H（ NWE -D ）
    ai14913b
    表40 。
    符号
    t
    d(D-NWE)(2)
    t
    w(NOE)(2)
    t
    su(D-NOE)(2)
    t
    h(NOE-D)(2)
    t
    w(NWE)(2)
    t
    v(NWE-D)(2)
    t
    h(NWE-D)(2)
    开关特性，NAND闪存的读写周期
    (1)
    参数
    FSMC_D [ 15 ： 0 ]前有效FSMC_NWE高
    FSMC_NOE低电平宽度
    FSMC_D [15：0 ]有效数据FSMC_NOE前
    高
    民
    6T
    HCLK
    + 12
    4T
    HCLK
    – 1.5 4T
    HCLK
    + 1.5
    25
    最大
    单位
    ns
    ns
    ns
    ns
    4T
    HCLK
    + 2.5
    0
    10T
    HCLK
    + 4
    3T
    HCLK
    + 1.5
    3T
    HCLK
    + 4.5
    3T
    HCLK
    + 2
    3T
    HCLK
    + 4.5
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    FSMC_D [ 15 ： 0 ] FSMC_NOE高7后的有效数据
    FSMC_NWE低电平宽度
    FSMC_NWE低到FSMC_D [15：0 ]有效
    FSMC_NWE高FSMC_D [ 15 ： 0 ]无效
    4T
    HCLK
    – 1
    t
    d(ALE-NWE)(3)
    FSMC_ALE有效的前FSMC_NWE低
    t
    h(NWE-ALE)(3)
    FSMC_NWE高FSMC_ALE无效
    t
    d(ALE-NOE)(3)
    FSMC_ALE有效的前FSMC_NOE低
    t
    h(NOE-ALE)(3)
    FSMC_NWE高FSMC_ALE无效
    1. C
    L
    = 15 pF的。
    2.基于特征，而不是在生产测试。
    3.由设计保证，而不是在生产测试。
    文档ID 14611第七版
    79/123

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