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    STM32F103RDH6TR 参数 Datasheet PDF下载

    STM32F103RDH6TR图片预览
    型号： STM32F103RDH6TR
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    内容描述： 高密度高性能线的基于ARM的32位MCU，具有256至512KB闪存， USB ， CAN ，11个定时器， 3的ADC ，13个通信接口 [High-density performance line ARM-based 32-bit MCU with 256 to 512KB Flash, USB, CAN, 11 timers, 3 ADCs, 13 communication interfaces]
    分类和应用： 闪存通信
    文件页数/大小： 123 页 / 1691 K
    品牌： STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
     浏览型号STM32F103RDH6TR的Datasheet PDF文件第76页浏览型号STM32F103RDH6TR的Datasheet PDF文件第77页浏览型号STM32F103RDH6TR的Datasheet PDF文件第78页浏览型号STM32F103RDH6TR的Datasheet PDF文件第79页浏览型号STM32F103RDH6TR的Datasheet PDF文件第81页浏览型号STM32F103RDH6TR的Datasheet PDF文件第82页浏览型号STM32F103RDH6TR的Datasheet PDF文件第83页浏览型号STM32F103RDH6TR的Datasheet PDF文件第84页  
    电气特性
    STM32F103xC ， STM32F103xD ， STM32F103xE
    5.3.11
    EMC特性
    药敏试验是在器件特性以抽样方式进行。
    功能性EMS （电磁敏感性）
    而一个简单的应用程序在设备上执行（切换2个LED通过I / O端口） 。该
    装置是由两个电磁事件强调直到发生故障。故障是
    通过LED指示：
    ●
    ●
    静电放电（ ESD ）
    （正和负）被施加到所有器件引脚直到
    功能发生紊乱。这个测试是符合IEC 61000-4-2标准。
    FTB ：
    快速瞬态电压的脉冲串（正和负）被施加到V
    DD
    和
    V
    SS
    通过一个100 pF的电容，直至功能障碍发生。这个测试是
    符合IEC 61000-4-4标准。
    器件复位允许恢复了正常运行。
    试验结果在给定的
    表41 。
    它们都是基于EMS级别和类别
    在应用笔记AN1709定义。
    表41 。
    符号
    EMS特点
    参数
    条件
    水平/
    类
    2B
    V
    FESD
    V
    DD
    �½3.3
    V， LQFP144 ，T
    A
    �½+25
    °C,
    电压范围，可在任何I / O引脚施加
    f
    HCLK
    �½72
    兆赫
    诱发功能障碍
    符合IEC 61000-4-2
    快速的瞬态电压限制爆裂是
    通过100 pF的对V应用
    DD
    和V
    SS
    销诱发功能障碍
    V
    DD
    �½3.3
    V， LQFP144 ，T
    A
    �½+25
    °C,
    f
    HCLK
    �½72
    兆赫
    符合IEC 61000-4-4
    V
    EFTB
    4A
    设计硬软件，以避免噪音问题
    EMC特性和优化，在组件级具有典型的执行
    应用环境，简化MCU软件。但是应当注意的是，良好的EMC
    性能高度依赖于用户应用，特别是软件。
    因此，建议用户施加EMC软件优化和
    资格预审测试与要求为他申请了EMC等级关系。
    软件推荐
    软件流程图必须包括失控的条件，如管理：
    ●
    ●
    ●
    损坏的程序计数器
    意外复位
    关键数据损坏（控制寄存器... ）
    80/123
    文档ID 14611第七版

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