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STM32F103RDH6TR 参数 Datasheet PDF下载

STM32F103RDH6TR图片预览
型号: STM32F103RDH6TR
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内容描述: 高密度高性能线的基于ARM的32位MCU,具有256至512KB闪存, USB , CAN ,11个定时器, 3的ADC ,13个通信接口 [High-density performance line ARM-based 32-bit MCU with 256 to 512KB Flash, USB, CAN, 11 timers, 3 ADCs, 13 communication interfaces]
分类和应用: 闪存通信
文件页数/大小: 123 页 / 1691 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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STM32F103xC , STM32F103xD , STM32F103xE
电气特性
5.2
绝对最大额定值
强调以上列出的绝对最大额定值
可能会造成永久性的
损坏设备。这些压力额定值只,设备的功能操作
在这些条件下,是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下,其
期间可能会影响器件的可靠性。
表7中。
符号
V
DD
–V
SS
V
IN
|V
DDX
|
|V
SSX
V
SS
|
V
静电放电( HBM)的
电压特性
评级
外部主电源电压(包括V
DDA
和V
DD
)
(1)
在宽容的5伏引脚输入电压
(2)
在任何其他引脚的输入电压
(2)
不同V之间变化
DD
电源引脚
所有不同的接地引脚之间的差异
静电放电电压(人体
模型)
–0.3
V
SS
0.3
V
SS
0.3
最大
4.0
+5.5
V
DD
+0.3
50
mV
50
SEE
V
单位
1.所有主电源(V
DD
, V
DDA
)和接地(Ⅴ
SS
, V
SSA
)引脚必须始终连接到外部电源
供应,在允许的范围内。
2. I
INJ ( PIN)
决不能超出(见
这若V是隐投保
IN
最大的尊重。如果V
IN
最大不能被推崇,注入电流必须限制
从外部向我
INJ ( PIN)
值。正注射诱导V
IN
& GT ; V
IN
最大值而负喷射是
诱导V
IN
& LT ; V
SS
.
表8 。
符号
I
VDD
I
VSS
I
IO
电流特性
评级
总电流为V
DD
/V
DDA
电源线(源)
(1)
总电流输出的V
SS
接地线(汇)
(1)
输出电流击沉任何I / O和控制引脚
输出电流源的任何I / O和控制引脚
在NRST引脚注入电流
马克斯。
150
150
25
25
mA
±5
±5
±5
± 25
单位
I
器INJ (PIN), (2)( 3)
I
INJ(PIN)(2)
注入电流对HSE OSC_IN和LSE OSC_IN引脚
注入电流在任何其他引脚
(4)
总的注入电流(所有的I / O和控制引脚和)
(4)
1.所有主电源(V
DD
, V
DDA
)和接地(Ⅴ
SS
, V
SSA
)引脚必须始终连接到外部电源
供应,在允许的范围内。
2. I
INJ ( PIN)
绝不能超过。这若V是隐投保
IN
最大的尊重。如果V
IN
最大
不能得到尊重,注入电流必须从外部限制在我
INJ ( PIN)
值。正
注射诱导V
IN
& GT ; V
DD
而负注射诱导用V
IN
& LT ; V
SS
.
3.负喷射干扰了设备的模拟性能。另请注意,在
4.当多个输入被提交给一个电流注入时,最大
I
INJ ( PIN)
是的绝对值和
正负注入电流(瞬时值)。这些结果是基于
表征
I
INJ ( PIN)
最大电流注入设备的四个I / O端口引脚。
文档ID 14611第七版
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