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STM32F103RDH6TR 参数 Datasheet PDF下载

STM32F103RDH6TR图片预览
型号: STM32F103RDH6TR
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内容描述: 高密度高性能线的基于ARM的32位MCU,具有256至512KB闪存, USB , CAN ,11个定时器, 3的ADC ,13个通信接口 [High-density performance line ARM-based 32-bit MCU with 256 to 512KB Flash, USB, CAN, 11 timers, 3 ADCs, 13 communication interfaces]
分类和应用: 闪存通信
文件页数/大小: 123 页 / 1691 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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STM32F103xC , STM32F103xD , STM32F103xE
电气特性
5.3.2
在上电/掉电工作条件
在给定的参数
从室温下进行实验的衍生
温度条件在总结
表11 。
符号
t
VDD
在上电/掉电工作条件
参数
V
DD
上升时间率
V
DD
下降时间率
条件
0
20
最大
单位
微秒/ V
5.3.3
内置复位和电源控制模块特性
在给定的参数
在环境从测试得到的执行
温度和V
DD
电源电压条件总结在
表12 。
符号
内置复位和电源控制模块特性
参数
条件
PLS [2:0 ] = 000 (上升沿)
PLS [2:0 ] = 000 (下降沿)
PLS [2:0 ] = 001 (上升沿)
PLS [2:0 ] = 001 (下降沿)
PLS [2:0 ] = 010 (上升沿)
PLS [2:0 ] = 010 (下降沿)
PLS [2:0 ] = 011 (上升沿)
2.1
2
2.19
2.09
2.28
2.18
2.38
2.28
2.47
2.37
2.57
2.47
2.66
2.56
2.76
2.66
典型值
2.18
2.08
2.28
2.18
2.38
2.28
2.48
2.38
2.58
2.48
2.68
2.58
2.78
2.68
2.88
2.78
100
下降沿
上升沿
1.8
(1)
1.88
1.84
1.92
40
1
2.5
4.5
1.96
2.0
最大
2.26
2.16
2.37
2.27
2.48
2.38
2.58
2.48
2.69
2.59
2.79
2.69
2.9
2.8
3
2.9
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mV
V
V
mV
mS
V
PVD
可编程电压
检测电平选择
PLS [2:0 ] = 011 (下降沿)
PLS [2:0 ] = 100 (上升沿)
PLS [2:0 ] = 100 (下降沿)
PLS [2:0 ] = 101 (上升沿)
PLS [2:0 ] = 101 (下降沿)
PLS [2:0 ] = 110 (上升沿)
PLS [2:0 ] = 110 (下降沿)
PLS [2:0 ] = 111 (上升沿)
PLS [2:0 ] = 111 (下降沿)
V
PVDhyst(2)
V
POR / PDR
V
PDRhyst(2)
PVD迟滞
开机/关机
复位门限
PDR迟滞
T
RSTTEMPO(2)
复位因循
2.通过设计保证,不在生产中测试。
1.该产品的行为是有保证通过设计降低到最小V
POR / PDR
值。
文档ID 14611第七版
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