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STM32F103RDH6TR 参数 Datasheet PDF下载

STM32F103RDH6TR图片预览
型号: STM32F103RDH6TR
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内容描述: 高密度高性能线的基于ARM的32位MCU,具有256至512KB闪存, USB , CAN ,11个定时器, 3的ADC ,13个通信接口 [High-density performance line ARM-based 32-bit MCU with 256 to 512KB Flash, USB, CAN, 11 timers, 3 ADCs, 13 communication interfaces]
分类和应用: 闪存通信
文件页数/大小: 123 页 / 1691 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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电气特性
STM32F103xC , STM32F103xD , STM32F103xE
5.3.18
12位ADC特性
除非另有说明,所述参数在给定的
从测试得到的
下的环境温度中,f进行
PCLK2
频率和V
DDA
电源电压
条件中总结
注意:
表58 。
符号
V
DDA
V
REF +
I
VREF
f
ADC
f
S(2)
f
TRIG(2)
V
艾因
R
AIN(2)
R
ADC(2)
C
ADC(2)
t
CAL(2)
t
lat(2)
t
latr(2)
t
S(2)
t
STAB(2)
t
CONV(2)
建议在每次上电时执行校准。
ADC特性
参数
电源
正参考电压
当前在V
REF
输入
ADC时钟频率
采样率
外部触发频率
转换电压范围
(3)
外部输入阻抗
采样开关电阻
内部采样和保持
电容
校准时间
注射触发转换
潜伏期
定期触发转换
潜伏期
采样时间
开机时间
总转换时间
(包括采样时间)
f
ADC
= 14 MHz的
f
ADC
= 14 MHz的
5.9
83
f
ADC
= 14 MHz的
0.214
3
(4)
f
ADC
= 14 MHz的
0.143
2
(4)
f
ADC
= 14 MHz的
0.107
1.5
0
1
0
17.1
239.5
1
18
SEE
式(1)
详细信息
f
ADC
= 14 MHz的
0.6
0.05
条件
2.4
2.4
160
(1)
典型值
最大
3.6
V
DDA
220
(1)
14
1
823
17
0 (V
SSA
或V
REF-
接地)
V
REF +
50
1
8
单位
V
V
µA
兆赫
兆赫
千赫
1/f
ADC
V
k
k
pF
µs
1/f
ADC
µs
1/f
ADC
µs
1/f
ADC
µs
1/f
ADC
µs
µs
1/f
ADC
14〜 252 (T
S
为取样12.5
逐次逼近型)
1.基于表征结果,而不是在生产测试。
2.通过设计保证,不在生产中测试。
3. V
REF +
可以在内部连接到V
DDA
和V
REF-
可以在内部连接到V
SSA
根据该包。
请参阅
对于进一步的细节。
4.对于外部触发器,中的1 / f的延迟
PCLK2
必须被添加到在指定的等待时间
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文档ID 14611第七版