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M25P40-VMN6TP/X 参数 Datasheet PDF下载

M25P40-VMN6TP/X图片预览

型号：	M25P40-VMN6TP/X
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	4兆位，低电压，串行闪存，具有50 MHz SPI总线接口 [4 Mbit, low voltage, serial Flash memory with 50 MHz SPI bus interface]
分类和应用：	闪存
文件页数/大小：	53 页 / 499 K
品牌：	STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]

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M25P40

说明

6.3

读取识别（ RDID ）

读取的识别（ RDID ）指令在产品的工艺技术可

码X只。

读取识别（ RDID ）指令允许8位制造商标识为

读，接着的两个字节的设备标识。厂家鉴定

由JEDEC分配，并拥有价值20H意法半导体。装置标识

是由设备制造商分配，并且指示该存储器类型中的第一个字节

（ 20小时），并在设备中的第二个字节（ 13h中）的存储器容量。

任何读识别（ RDID ）指令，而擦除或编程周期正在进行中，是

未解码的，并具有对周期正在进行中的任何效果。

读取的识别（ RDID ）指令不应该被发出，而该设备在深

掉电模式。

该装置是通过驱动芯片选择（S ）低的第一选择。然后，将8位的指令代码

该指令被移入。这之后是24位的设备标识，存储在

存储器，被移出串行数据输出（Q），每个比特被中移出

串行时钟（ C）的下降沿。

该指令序列示于

读出的识别（ RDID ）指令是由驱动芯片选择（ S）在高速终止

数据输出过程中的任何时间。

当片选（ S）为高时，该设备放置在待机功耗模式。一旦

在待机功耗模式下，器件等待被选择，使之能接收，解码

和执行指令。

表5 。

读取识别（ RDID ）数据输出序列

设备Identi科幻阳离子

制造商标识

内存类型

20h

20h

内存容量

13h

图9 。

读取识别（ RDID ）指令序列和数据输出序列

S

0

C

指令

D

制造商标识

高阻抗

Q

最高位

15 14 13

最高位

AI06809b

1

2

3

4

5

6

7

8

9 10 11 12 13 14 15 16 17 18

28 29 30 31

设备Identi科幻阳离子

3

2

1

0

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