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M25P40-VMN6TP/X 参数 Datasheet PDF下载

M25P40-VMN6TP/X图片预览
型号: M25P40-VMN6TP/X
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内容描述: 4兆位,低电压,串行闪存,具有50 MHz SPI总线接口 [4 Mbit, low voltage, serial Flash memory with 50 MHz SPI bus interface]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 53 页 / 499 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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说明
M25P40
6
说明
所有指令,地址和数据被移入和移出器件,最显著位
科幻RST 。
串行数据输入(D )进行采样,在串行时钟的片选后的第一个上升沿( C)
(S )被拉低。然后,将1字节的指令代码必须移入到设备上,最
显著位首先,在串行数据输入( D)中,每个位被锁存的上升沿
串行时钟(C) 。
该指令集被列在
每个指令序列开始的一个字节的指令代码。根据不同的
指令,这随后可能是地址字节,或由数据字节,或由两者或无。
芯片选择( S)必须驱动高之后的指令序列的最后一位已经
移入。
中的一个读取的数据字节(READ)的情况下,读出的数据字节以更高的速度( FAST_READ )
读取识别( RDID ) ,读状态寄存器( RDSR)或深电源 - 释放
下来,阅读电子签名( RES )指令,移入的指令序列
之后是一个数据输出序列。芯片选择( S)可以后的任何位被驱动为高电平
数据输出序列被移出。
在一个页面编程( PP ) ,扇区擦除( SE ) ,批量擦除( BE )的情况下,写状态
寄存器( WRSR ) ,写使能( WREN ) ,写禁止( WRDI )或深度掉电( DP )
指令,芯片选择( S)必须驱动为高电平正好在字节边界,否则,
指令被拒绝,并且不被执行。也就是说,芯片选择( S)必须驱动为高电平时,
被驱动芯片选择(S)后的时钟脉冲的数目是低的整数倍
8 。
所有试图在写状态寄存器周期,程序访问存储阵列
周期或擦除周期将被忽略,并且内部写状态寄存器周期,计划
周期或擦除周期继续不受影响。
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