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M25P40-VMN6TP/X 参数 Datasheet PDF下载

M25P40-VMN6TP/X图片预览
型号: M25P40-VMN6TP/X
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内容描述: 4兆位,低电压,串行闪存,具有50 MHz SPI总线接口 [4 Mbit, low voltage, serial Flash memory with 50 MHz SPI bus interface]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 53 页 / 499 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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说明
M25P40
6.4
读状态寄存器( RDSR )
读状态寄存器( RDSR )指令允许状态寄存器进行读取。该
状态寄存器可在任何时候读取,即使在一个程序,擦除或写入状态
注册周期正在进行中。当这些周期中的一个正在进行中,则建议
发送新指令给设备前检查写在制品(WIP )位。这是
也可以连续地读出状态寄存器,如图
表6 。
b7
SRWD
0
0
BP2
BP1
BP0
WEL
状态寄存器的格式
b0
WIP
状态寄存器写保护
块保护位
写使能锁存位
写正在进行位
是状态寄存器中的状态和控制位,如下所示:
6.4.1
WIP位
写在制品(WIP )位表明内存是否忙于写状态
注册,编程或擦除周期。当设置为1时,这样的循环过程中,当复位到
0没有这样的周期正在进行中。
6.4.2
WEL位
写使能锁存器( WEL)位表示内部写使能锁存状态。
当设置为1 ,内部写使能锁存器设置,当设置为0时,内部写使能
锁存器复位,并没有写状态寄存器,编程或擦除指令被接受。
6.4.3
BP2 , BP1 , BP0位
块保护( BP2 , BP1 , BP0 )位是非易失性的。它们定义了面积与大小
通过软件防止编程和擦除指令。这些位被写入
写状态寄存器( WRSR )指令。当一个或多个数据块保护的( BP2,
BP1,BP0)位被设置为1 ,则相应的存储器区域(定义
防止页面方案(PP)和扇区擦除( SE)的指令。块保护
( BP2 , BP1 , BP0 )位可设置写入硬件保护模式还没有
被设定。批量擦除( BE )指令,当且仅当所有块执行保护( BP2 ,
BP1 , BP0 )位为0 。
6.4.4
SRWD位
状态寄存器写入禁止( SRWD )位与写入操作相结合
保护(W)的信号。状态寄存器写禁止( SRWD )位和写保护( W)
信号允许该设备被放置在硬件保护模式(当状态寄存器
写禁止( SRWD )位被设置为1,并写保护( W)被驱动为低电平) 。在这种模式下,
的状态寄存器的非易失位( SRWD , BP2 , BP1 , BP0 )变为只读位,
写状态寄存器( WRSR )指令不再接受执行。
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