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M25P32-VMF6TP 参数 Datasheet PDF下载

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型号: M25P32-VMF6TP
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内容描述: 32兆位,低电压,串行闪存的50MHz SPI总线接口 [32 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 50MHz SPI Bus Interface]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管时钟
文件页数/大小: 39 页 / 508 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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M25P32
从深度掉电和阅读版本
电子签名( RES )
一旦设备已经进入深水电源 -
断模式下,所有的指令都将被忽略,除了
从深度掉电和阅读Elec-发布
TRONIC签名( RES )指令。执行此
指令需要的设备从深Pow-的
ER- down模式。
该指令还可以用于读取,串行
数据输出( Q) ,老式的8位电子显
性质,它的值对于
M25P32
is
15h.
请注意,这是不一样的,甚至是
的, JEDEC的16位电子签名集
这是由Read标识符( RDID )指令读
化。旧式的电子签名支持 -
编为了向后兼容的原因,只有和
不应该被用于新的设计。新设计
应,而是利用JEDEC 16位
电子签名和读取识别
( RDID )指令。
除了同时擦除,编程或写状态
寄存器周期正在进行中,从推出
深度掉电和阅读电子签名
( RES )指令总是提供访问
该装置的旧式8位电子签名,
并能即使在深度掉电施加
模式还没有被输入。
从深度掉电和读取任何发布
电子签名( RES )指令的同时,
擦除,编程或写状态寄存器周期中
进步,不进行解码,并且对没有影响
周期正在进行中。
该设备通过驱动芯片选择第一选择
(S )低。指令码后面是3
虚拟字节,每一个比特被锁式串行
数据输入( D)的过程中的串行上升沿
时钟(C) 。然后,旧式8位电子显
自然,存储在存储器中,被移出硒
里亚尔数据输出( Q)的每个位被移出
在串行时钟( C)的下降沿。
该指令序列示于
从深度掉电和阅读发布
电子签名( RES )指令端端接
通过驱动芯片选择(S )高的Elec-编后
tronic的签名已被读取的至少一次。
在串行时钟发送额外的时钟周期
( C)中,而片选( S)被驱动为低电平,使
电子签名重复输出。
当片选( S)为高时,该设备是
放入备用电源模式。如果该设备是
以前没有在深度掉电模式下,
转换到备用电源模式被立即
吃了。如果该设备是以前在深Pow-
呃断模式,不过,过渡到
备用电源模式被延迟吨
RES2
芯片选择( S)必须保持高电平至少
t
RES2
(最大) ,如在规定的
一旦进入
备用电源模式下,器件等待SE-
lected ,使得它可以接收,解码并执行
指令。
从深度掉电和阅读电子签名( RES )指令图20.发布
序列和数据输出序列
S
0
C
指令
3虚拟字节
t
RES2
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10
28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38
D
高阻抗
Q
23 22 21
最高位
3
2
1
0
电子签名退房
7
最高位
深度掉电模式
待机模式
AI04047C
6
5
4
3
2
1
0
注: 8位电子签名的价值,为M25P32 ,为15h 。
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