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M25P32-VMF6TP 参数 Datasheet PDF下载

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型号: M25P32-VMF6TP
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内容描述: 32兆位,低电压,串行闪存的50MHz SPI总线接口 [32 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 50MHz SPI Bus Interface]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管时钟
文件页数/大小: 39 页 / 508 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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M25P32
上电和掉电
在上电和掉电时,器件必须
无法选择(即片选( S)必须遵循
适用于V的电压
CC
),直到V
CC
到达
正确的值:
– V
CC
(分钟)电,然后再
吨的延迟
VSL
– V
SS
在电源关闭
通常在芯片选择一个简单的上拉电阻( S)
可用于确保安全和适当的电
和掉电。
为了避免数据损坏和意外写OP-
操作过程中电,上电复位
(POR)电路被包括在内。在DE-内部的逻辑
副举行复位,而V
CC
小于所述电源
上电复位( POR )阈值电压,V
WI
- 所有能操作
ations被禁用,而且设备不重新
有反应的任何指令。
此外,该器件将忽略所有写使能
(雷恩) ,页编程( PP ) ,扇区擦除( SE ) ,
批量擦除( BE )和写状态寄存器
( WRSR ),直到T的时间延迟的说明
PUW
那一刻起,后经过V
CC
上升到高于
V
WI
门槛。然而,正确的操作
该设备如果不能保证,这个时候,V
CC
is
仍低于V
CC
(分钟)。不写状态寄存器,
编程或擦除指令应该被发送到
后期:
图22.上电时序
VCC
VCC (MAX)
编程,擦除和写入命令被拒绝的设备
片选不准
VCC(分钟)
复位状态
设备
VWI
tPUW
tVSL
READ允许访问
设备完全
可访问
– t
PUW
经过V
CC
通过V
WI
门槛
– t
VSL
经过V
CC
通过V
CC
(分)级
这些值在指定的
如果延迟,T
VSL
,经过,经过V
CC
上升
上述V
CC
(分钟) ,该装置可被选择用于
即使T中读说明书
PUW
延迟是尚未
完全过去。
上电时,该装置是在以下状态:
- 该设备处于待机电源模式(不
在深度掉电模式) 。
- 写使能锁存器( WEL )位复位。
正常的预防措施,必须采取电源轨
去耦,以稳定在V
CC
供应量。每一台装置
副系统中应该有V
CC
铁路decou-
通过一个合适的电容器靠近封装PLED
销。 (通常,此电容器是数量级的
0.1µF).
在电源关闭后,当V
CC
从operat-下降
荷兰国际集团的电压,在电源低于上电复位( POR )
阈值电压V
WI
,所有操作将被禁用
并且该设备不以任何指令响应
化。 (设计师需要知道,如果一个
掉电时,同时写,程序或
擦除周期正在进行中,部分数据损坏
可导致)。
时间
AI04009C
27/39