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M25P32-VMF6TP 参数 Datasheet PDF下载

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型号: M25P32-VMF6TP
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内容描述: 32兆位,低电压,串行闪存的50MHz SPI总线接口 [32 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 50MHz SPI Bus Interface]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管时钟
文件页数/大小: 39 页 / 508 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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M25P32
深度掉电( DP )
执行深度掉电( DP )指令
是把设备从低浓度的唯一途径
消费模式(深度掉电模式) 。它
也可以被用来作为一个额外的软件保护
机构,而该装置不使用时,应
因为在这种模式下,设备会忽略所有写,
编程和擦除指令。
驱动芯片选择(S )高释放器件,
并将该装置在备用电源模式(如果
没有内部周期正在进行中) 。但
这种模式是不是深度掉电模式。该
深度掉电模式只能通过输入
执行深度掉电( DP )的指令,
随后减小待机电流(从
I
CC1
到我
CC2
,如在规定的
一旦设备已经进入深水电源 -
断模式下,所有的指令都将被忽略,除了
从深度掉电和阅读Elec-发布
TRONIC签名( RES )指令。此版本
该装置从这个模式。从发布
深度掉电和阅读电子签名
( RES )指令也允许电子签名确保
该设备的TURE是串行数据输出输出
把( Q) 。
在深度掉电模式下会自动停止
在掉电和设备始终权力向上
在待机功率模式。
在深度掉电( DP )指令进入
通过驱动芯片选择(S )低,其次是在 -
在串行数据输入( D)梁支代码。芯片硒
择( S)必须驱动为低电平的整个期间,
序列。
该指令序列示于
芯片选择( S)后,必须驱动为高电平
的指令代码第八位被锁存
中,否则深度掉电( DP )指令
不执行重刑。当片选( S)是
驱动高,它要求T的延迟
DP
电源电流减小到我
CC2
和深
掉电模式进入。
任何深度掉电( DP )的指令,而一个
擦除,编程或写周期正在进行中,是重
遭离弃,而无需对循环中的任何效果
正在进行中。
图19.深度掉电( DP )指令序列
S
0
C
指令
D
1
2
3
4
5
6
7
t
DP
待机模式
深度掉电模式
AI03753D
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