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STTH1212 参数 Datasheet PDF下载

STTH1212图片预览
型号: STTH1212
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内容描述: 超快恢复 - 1200 V二极管 [Ultrafast recovery - 1200 V diode]
分类和应用: 二极管
文件页数/大小: 9 页 / 127 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ ST ]
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Characteristics  
STTH1212  
1
Characteristics  
Table 1.  
Symbol  
Absolute ratings (limiting values at 25° C, unless otherwise specified)  
Parameter Value  
Unit  
VRRM  
Repetitive peak reverse voltage  
1200  
30  
V
A
A
A
A
IF(RMS) RMS forward current  
IF(AV)  
IFRM  
IFSM  
Tstg  
Tj  
Average forward current, δ = 0.5  
Repetitive peak forward current  
Tc = 130° C  
tp = 5 µs, F = 5 kHz square  
12  
160  
100  
Surge non repetitive forward current  
Storage temperature range  
tp = 10 ms Sinusoidal  
-65 to + 175  
175  
°C  
°C  
Maximum operating junction temperature  
Table 2.  
Thermal parameter  
Symbol  
Parameter  
Junction to case  
Value  
Unit  
Rth(j-c)  
1.6  
°C/W  
Table 3.  
Symbol  
Static electrical characteristics  
Parameter  
Test conditions  
Min.  
Typ  
Max.  
Unit  
Tj = 25° C  
Tj = 125° C  
10  
70  
(1)  
IR  
Reverse leakage current  
VR = VRRM  
µA  
7
Tj = 25° C  
Tj = 125° C  
Tj = 150° C  
2.2  
2.0  
1.9  
(2)  
VF  
Forward voltage drop  
IF = 12 A  
1.30  
1.25  
V
1. Pulse test: t = 5 ms, δ < 2 %  
p
2. Pulse test: t = 380 µs, δ < 2 %  
p
To evaluate the conduction losses use the following equation:  
2
P = 1.5 x IF(AV) + 0.033 IF (RMS)  
2/9  
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