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    STP13NM60N 参数 Datasheet PDF下载

    STP13NM60N图片预览
    型号： STP13NM60N
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道600 V ， 0.28欧姆（典型值） ， 11一个的MDmesh II功率MOSFET采用TO- 220FP ， I2PAK ， TO- 220 ， IPAK ， TO- 247封装 [N-channel 600 V, 0.28 ohm typ., 11 A MDmesh II Power MOSFET in TO-220FP, I2PAK, TO-220, IPAK, TO-247 packages]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲PC局域网
    文件页数/大小： 21 页 / 989 K
    品牌： STMICROELECTRONICS [ ST ]
     浏览型号STP13NM60N的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STP13NM60N的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STP13NM60N的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STP13NM60N的Datasheet PDF文件第7页浏览型号STP13NM60N的Datasheet PDF文件第9页浏览型号STP13NM60N的Datasheet PDF文件第10页浏览型号STP13NM60N的Datasheet PDF文件第11页浏览型号STP13NM60N的Datasheet PDF文件第12页  
    Electrical characteristics  
    STF/I/P/U/W13NM60N  
    Figure 14. Gate charge vs gate-source voltage Figure 15. Capacitance variations  
    AM03305v1  
    !-ꢀꢇꢇꢀꢃVꢂ  
    V
    (V)  
    GS  
    #
    ꢄP&ꢆ  
    V
    DS(V)  
    V
    DD=480V  
    =11A  
    12  
    500  
    400  
    300  
    200  
    ID  
    VDS  
    ꢂꢀꢀꢀ  
    ꢂꢀꢀ  
    #ISS  
    10  
    8
    6
    #OSS  
    #RSS  
    4
    2
    0
    ꢂꢀ  
    ꢂ
    100  
    0
    10  
    20  
    ꢀꢈꢂ  
    ꢂꢀꢀ  
    30  
    Qg  
    (nC)  
    6$3ꢄ6ꢆ  
    0
    ꢂ
    ꢂꢀ  
    Figure 16. Normalized gate threshold voltage Figure 17. Normalized on-resistance vs  
    vs temperature temperature  
    AM03306v1  
    AM03307v1  
    V
    GS(th)  
    R
    DS(on)  
    (norm)  
    (norm)  
    1.10  
    2.1  
    1.9  
    1.7  
    ID=250µA  
    ID=5.5A  
    1.00  
    0.90  
    1.5  
    1.3  
    1.1  
    0.9  
    0.80  
    0.7  
    0.5  
    -50  
    -25  
    0.70  
    -50  
    -25  
    0
    25 50 75  
    TJ(°C)  
    0
    25 50 75  
    TJ(°C)  
    100  
    100  
    Figure 18. Source-drain diode forward  
    characteristics  
    AM09290v1  
    VSD  
    (V)  
    TJ=-50°C  
    TJ=25°C  
    1.2  
    1.0  
    TJ=150°C  
    0.8  
    0.6  
    0.4  
    0
    2
    4
    6
    8
    10 ISD(A)  
    8/21  
    Doc ID 15420 Rev 5  

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