STP13NM60N 参数 Datasheet PDF下载

型号：	STP13NM60N
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内容描述：	N沟道600 V ， 0.28欧姆（典型值）， 11一个的MDmesh II功率MOSFET采用TO- 220FP ， I2PAK ， TO- 220 ， IPAK ， TO- 247封装 [N-channel 600 V, 0.28 ohm typ., 11 A MDmesh II Power MOSFET in TO-220FP, I2PAK, TO-220, IPAK, TO-247 packages]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲PC局域网
文件页数/大小：	21 页 / 989 K
品牌：	STMICROELECTRONICS [ ST ]

STF/I/P/U/W13NM60N

Test circuits

Figure 19. Switching times test circuit for

resistive load

Figure 20. Gate charge test circuit

VDD

12V

47kΩ

1kΩ

100nF

2200

3.3

μF

IG=CONST

V^DD

100Ω

Vⁱ=20V=VGMAX

D.U.T.

V^G

VGS

2200

μF

D.U.T.

2.7kΩ

47kΩ

1kΩ

AM01468v1

AM01469v1

Figure 21. Test circuit for inductive load

switching and diode recovery times

Figure 22. Unclamped inductive load test

circuit

FAST

DIODE

L=100μH

2200

μF

D.U.T.

3.3

μF

VDD

3.3

μF

1000

μF

V^DD

R^G

D.U.T.

AM01470v1

AM01471v1

Figure 23. Unclamped inductive waveform

Figure 24. Switching time waveform

ton

toff

tdoff

V(BR)DSS

tdon

90%

10%

90%

IDM

10%

VDS

VDD

90%

V^GS

10%

AM01472v1

AM01473v1

Doc ID 15420 Rev 5

9/21

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