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S29JL032H90TFI420 参数 Datasheet PDF下载

S29JL032H90TFI420图片预览
型号: S29JL032H90TFI420
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内容描述: 32M位3.0V CMOS FLASH MEMORY [32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 66 页 / 1605 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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A D V A N C E I N F O R M A T I O N  
アクセラレーションプログラム動作  
このデバイスは,ACC 機能により,アクセラレーションプログラム動作が可能です。これ  
は,WP# / ACC 端子により実現され2 種類の機能の一つです。この機能は,本来,工  
場での製造スループットを高めるために設計されたものです。  
システムにより,この端子に V  
がアサートされると,デバイスは自動的に上記のアン  
HH  
ロックバイパスモードに入り,プロテクトされたセクタをすべて一時的に解除し,端子に  
印加された高電圧によりプログラム動作に要する時間を短縮しますステムはンロッ  
クバイパスモードに必要なプログラムコマンドシーケンス(2 回サイクル)を使用するこ  
とになりますWP# / ACC 端子V  
を解除するとバイスは通常の動作に戻ります。  
HH  
ただし,アクセラレーションプログラミング以外の動作を行なう場合は,WP# / ACC 端  
V をアサートしないでくださいの動作時の場合,デバイスに損傷を与えること  
HH  
があります。また,デバイスの動作が不安定になりますので,WP# / ACC 端子をフロー  
ティングまたは未接続のままにしないでください関連する情報として,25 ページラ  
イトプロテクト(WP#を参照してください。  
オートセレクト機能  
システムからオートセレクトコマンドシーケンスがライトされると,デバイスはオートセ  
レクトモードになります。このモードのとき,システムは(メモリアレイとは別個の)内  
部レジスタ DQ15 DQ0 からオートセレクトコードをリードすることができます。この  
モードのタイミングは標準のリードサイクルとなりますしくは「オートセレクトモー  
ド」および「オートセレクトコマンドシーケンス」を参照してください。  
遅延時間ゼロで同時に実行可能なリード / ライト動作  
このデバイスは,メモリ内のあるバンクに対してプログラムまたはイレーズ動作を実行し  
ながら,別のいずれかのメモリバンクからデータをリードすることができます。また,イ  
レーズ動作を中断して,同じバンク内の(イレーズ対象セクタ以外の)別の位置からデー  
タをリードしたり,同位置へデータをプログラムすることもできます。同時実行時,リー  
/ ライトサイクルが切替遅延ゼロで開始する様子を20 に示します。プログラム中の  
リード動作およびイレーズ中のリード動作に関する現行仕様を「DC 特性」の表I  
CC6  
I  
にそれぞれ示します。  
CC7  
2005 3 9 S29JL032HA11  
S29JL032H  
15  
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