A D V A N C E I N F O R M A T I O N
ワード / バイト構成
BYTE# 端子により,デバイスのデータ入出力端子がバイト構成,ワード構成のどちらで作
動するかが決まります。BYTE# 端子を論理「1」にセットすると,デバイスはワード構成
となり,DQ15 ~DQ0 がアクティブとなって,CE# およびOE# により制御されます。
BYTE# 端子を論理「0」にセットすると,デバイスはバイト構成となり,データ入出力端
子DQ7 ~DQ0 のみがアクティブとなって,CE# およびOE# により制御されます。デー
タ入出力端子(DQ14 ~DQ8)はトライステートとなり,LSB(A-1)アドレス機能の入
力としてDQ15 端子を使用します。
アレイデータをリードするための要件
出力からデータアレイをリードするには,システムはCE# 端子とOE# 端子をV にしな
IL
ければなりません。CE# は電力制御を行ない,デバイスを選択します。また,OE# は出
力制御を行ない,データアレイを各出力ピンへ送出します。WE# は,V に保持する必要
IH
があります。BYTE# 端子により,デバイスがデータアレイをワード,バイトのどちらで出
力するかが決まります。
電源投入時,またはハードウェアリセット後,内部のステートマシンはデータアレイのリー
ド状態に設定されます。これにより,電源変動時でも,メモリの内容が誤って変更されな
いようにしています。このモードでデータアレイをリードする場合,コマンドは特に必要
ありません。標準マイクロプロセッサのリードサイクルで,デバイスのアドレス入力へ有
効なアドレスをアサートすると,デバイスのデータ出力から有効なデータが出力されます。
コマンドレジスタの内容が変更されるまで,各バンクはリードアクセス可能状態です。
タイミング仕様については AC 特性の「リードオンリ動作」の表を,また,タイミング図
については図13 を参照してください。DC 特性表のI
は,データアレイのリード時に
CC1
おけるアクティブ電流仕様を表しています。
コマンド / コマンドシーケンスのライト
コマンドまたはコマンドシーケンスをライトするには(デバイスへのデータのプログラミ
ングやメモリセクタのイレーズ動作を含みます),システムはWE# およびCE# をV に,
IL
また,OE# をV にセットしなければなりません。
IH
書込み動作の場合,BYTE# 端子により,デバイスがバイト,ワードのどちらのプログラム
データを受付けるかが決まります。詳しくは,「ワード / バイト構成」を参照してください。
このデバイスは,高速プログラミングを可能にするアンロックバイパスモードを搭載してい
ます。アンロックバイパスモードでは,ワードまたはバイトのプログラムに必要なライトサ
イクルが4 回ではなく,2 回のみとなります。標準モードとアンロックバイパスモードの両
モードで,コマンドシーケンスによりデバイスにデータをプログラムする方法については,
「バイト / ワードプログラムコマンドシーケンス」のセクションで詳しく説明します。
イレーズ動作では,指定されたセクタまたは複数のセクタをイレーズすることが可能で
あり,デバイス全体をイレーズすることも可能です。各セクタが占有するアドレス空間
を表3 および表4 に示します。同様に,「セクタアドレス」とは,セクタを一意的に選択
するのに必要なアドレスビットのことです。セクタやチップ全体を消去したり,イレー
ズ動作の中断 / 復帰については,「コマンドの定義」のセクションで詳しく説明します。
このデバイスのアドレス空間は 4 つのバンクで構成されています。「バンクアドレス」と
は,バンクを一意的に選択するのに必要なアドレスビットのことです。
DC 特性表のI
は,ライトモード時におけるアクティブ電流仕様を示しています。また,
CC2
ライト動作のタイミング仕様表,およびタイミング図については,「AC 特性」のセクショ
ンを参照してください。
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S29JL032H
S29JL032HA11 2005 年3 月9 日