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S29JL032H90TFI420 参数 Datasheet PDF下载

S29JL032H90TFI420图片预览
型号: S29JL032H90TFI420
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内容描述: 32M位3.0V CMOS FLASH MEMORY [32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 66 页 / 1605 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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A D V A N C E I N F O R M A T I O N  
ワード / バイト構成  
BYTE# 端子によりバイスのデータ入出力端子がバイト構成ード構成のどちらで作  
動するかが決まります。BYTE# 端子を論理「1」にセットすると,デバイスはワード構成  
となり,DQ15 DQ0 がアクティブとなって,CE# およOE# により制御されます。  
BYTE# 端子を論理「0」にセットすると,デバイスはバイト構成となり,データ入出力端  
DQ7 DQ0 のみがアクティブとなってCE# およOE# により制御されますー  
タ入出力端子(DQ14 DQ8)はトライステートとなり,LSBA-1)アドレス機能の入  
力としDQ15 端子を使用します。  
アレイデータをリードするための要件  
出力からデータアレイをリードするにはステムCE# 端子OE# 端子V にしな  
IL  
ければなりません。CE# は電力制御を行ない,デバイスを選択します。また,OE# は出  
力制御を行ないータアレイを各出力ピンへ送出しますWE# V に保持する必要  
IH  
がありますBYTE# 端子によりバイスがデータアレイをワードイトのどちらで出  
力するかが決まります。  
電源投入時たはハードウェアリセット後部のステートマシンはデータアレイのリー  
ド状態に設定されます。これにより,電源変動時でも,メモリの内容が誤って変更されな  
いようにしています。このモードでデータアレイをリードする場合,コマンドは特に必要  
ありません。標準マイクロプロセッサのリードサイクルで,デバイスのアドレス入力へ有  
効なアドレスをアサートするとバイスのデータ出力から有効なデータが出力されます。  
コマンドレジスタの内容が変更されるまで,各バンクはリードアクセス可能状態です。  
タイミング仕様については AC 特性の「リードオンリ動作」の表を,また,タイミング図  
については13 を参照してください。DC 特性表I  
は,データアレイのリード時に  
CC1  
おけるアクティブ電流仕様を表しています。  
コマンド / コマンドシーケンスのライト  
コマンドまたはコマンドシーケンスをライトするには(デバイスへのデータのプログラミ  
ングやメモリセクタのイレーズ動作を含みますステムWE# およCE# V に,  
IL  
また,OE# V にセットしなければなりません。  
IH  
書込み動作の場合BYTE# 端子によりバイスがバイトードのどちらのプログラム  
データを受付けるかが決まりますしくは「ワード / バイト構成参照してください。  
このデバイスは速プログラミングを可能にするアンロックバイパスモードを搭載してい  
ますンロックバイパスモードではードまたはバイトのプログラムに必要なライトサ  
イクル4 回ではなく2 回のみとなります準モードとアンロックバイパスモードの両  
モードで,コマンドシーケンスによりデバイスにデータをプログラムする方法については,  
「バイト / ワードプログラムコマンドシーケンス」のセクションで詳しく説明します。  
イレーズ動作では,指定されたセクタまたは複数のセクタをイレーズすることが可能で  
あり,デバイス全体をイレーズすることも可能です。各セクタが占有するアドレス空間  
3 および4 に示します様にセクタアドレスクタを一意的に選択  
するのに必要なアドレスビットのことです。セクタやチップ全体を消去したり,イレー  
ズ動作の中断 / 復帰についてはコマンドの定義」のセクションで詳しく説明します。  
このデバイスのアドレス空間は 4 つのバンクで構成されていますバンクアドレス」と  
は,バンクを一意的に選択するのに必要なアドレスビットのことです。  
DC 特性表I  
イトモード時におけるアクティブ電流仕様を示していますた,  
CC2  
ライト動作のタイミング仕様表,およびタイミング図についてはAC 特性」のセクショ  
ンを参照してください。  
14  
S29JL032H  
S29JL032HA11 2005 3 9 日  
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