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    SUD50N10-18P 参数 Datasheet PDF下载

    SUD50N10-18P图片预览
    型号： SUD50N10-18P
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道100伏（D -S ）， 175 ℃的MOSFET [N-Channel 100 V (D-S) 175 °C MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 10 页 / 860 K
    品牌： SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
     浏览型号SUD50N10-18P的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SUD50N10-18P的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SUD50N10-18P的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SUD50N10-18P的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SUD50N10-18P的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SUD50N10-18P的Datasheet PDF文件第7页浏览型号SUD50N10-18P的Datasheet PDF文件第8页浏览型号SUD50N10-18P的Datasheet PDF文件第9页  
    SUD50N10-18P
    N沟道
    100 V（ D- S） 175℃ MOSFET
    典型特征
    （25℃ ，除非另有说明）
    1000
    1000
    100
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    有限
    by
    R
    DS （ ON） *
    10
    µs,
    100
    µs
    100
    有限
    by
    R
    DS （ ON） *
    10
    µs
    100
    µs
    1毫秒
    10毫秒
    100毫秒，直流
    10
    1毫秒
    1
    10毫秒
    100毫秒
    0.1
    T
    A
    = 25 °C
    单脉冲
    1s
    10 s
    100秒， DC
    10
    100
    1000
    10
    1
    0.1
    T
    C
    = 25 °C
    单脉冲
    0.01
    0.1
    1.0
    0.01
    0.1
    1.0
    10
    100
    1000
    V
    DS
    - 漏 - 源
    电压
    (V)
    *
    V
    GS
    >最低
    V
    GS
    at
    哪
    R
    DS （ ON）
    为特定网络版
    V
    DS
    - 漏 - 源
    电压
    (V)
    *
    V
    GS
    >最低
    V
    GS
    at
    哪
    R
    DS （ ON）
    为特定网络版
    安全工作区，结到环境
    10
    60
    安全工作区，结至外壳
    8
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    50
    包装有限公司
    40
    6
    30
    4
    20
    2
    10
    0
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    175
    0
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    175
    T
    A
    - 环境温度（ ° C）
    T
    C
    - 外壳温度（ ° C）
    电流降额** ，结到环境
    电流降额** ，结至外壳
    **功耗P
    D
    是以T
    J（下最大）
    = 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在解决上更加有用
    散热限制的情况下额外的散热使用。它被用来确定额定电流，当该等级下降的包下面
    极限。
    5 / 10
    www.freescale.net.cn

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