SUD50N10-18P
N沟道
100 V（ D- S） 175℃ MOSFET
特定网络阳离子
(T
J
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏极 - 源极导通状态
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
I
F
= 50 A， di / dt的= 100 A / μs的，T
J
= 25 °C
I
S
= 15 A
0.85
80
160
57
23
T
C
= 25 °C
50
100
1.5
120
240
A
V
ns
nC
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 50 V ，R
L
= 1
I
D
50 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 1
F = 1 MHz的
V
DS
= 50 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 50 A
V
DS
= 50 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
2600
230
80
48
16
13
1.6
12
10
18
8
2.5
20
20
35
15
ns
75
nC
pF
阻力
a
正向跨导
a
V
DS
V
DS
/T
J
V
GS （ TH）
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 µA
I
D
= 250 µA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 µA
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 100 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 100 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
DS
5
V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 15 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 15 A
50
0.015
33
0.0185
2.5
100
110
- 12.5
5
± 100
1
50
V
毫伏/°C的
V
nA
µA
A
S
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒，占空比
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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