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    SUD50N10-18P 参数 Datasheet PDF下载

    SUD50N10-18P图片预览
    型号： SUD50N10-18P
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道100伏（D -S ）， 175 ℃的MOSFET [N-Channel 100 V (D-S) 175 °C MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 10 页 / 860 K
    品牌： SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
     浏览型号SUD50N10-18P的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SUD50N10-18P的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SUD50N10-18P的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SUD50N10-18P的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SUD50N10-18P的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SUD50N10-18P的Datasheet PDF文件第7页浏览型号SUD50N10-18P的Datasheet PDF文件第8页浏览型号SUD50N10-18P的Datasheet PDF文件第9页  
    SUD50N10-18P
    N沟道
    100 V（ D- S） 175℃ MOSFET
    典型特征
    （25℃ ，除非另有说明）
    20
    I
    D
    = 20 A
    V
    GS
    - 栅极 - 源极
    电压
    (V)
    R
    DS （ ON）
    - 导通电阻
    （归一化）
    15
    V
    DS
    = 50
    V
    V
    DS
    =
    80 V
    10
    2.0
    2.5
    I
    D
    = 15 A
    V
    GS
    = 10
    V
    1.5
    5
    1.0
    0
    0
    20
    40
    60
    80
    100
    0.5
    - 50
    - 25
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    175
    Q
    g
    - 总栅极电荷（ NC）
    T
    J
    - 结温（ ° C）
    栅极电荷
    100
    T
    J
    = 150 °C
    T
    J
    = 25 °C
    1
    V
    GS （ TH）
    方差
    (V)
    0.7
    导通电阻与结温
    10
    I
    S
    - 源电流（ A）
    0.2
    - 0.3
    I
    D
    = 5毫安
    - 0.8
    0.1
    - 1.3
    0.01
    - 1.8
    I
    D
    = 250
    µA
    0.001
    0.0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1.0
    1.2
    - 2.3
    - 50
    - 25
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    175
    V
    SD
    - 源极到漏极
    电压
    (V)
    T
    J
    - 温度（℃ ）
    源极 - 漏极二极管正向电压
    300
    600
    阈值电压
    240
    500
    400
    功率（W）的
    功率（W）的
    180
    300
    120
    T
    A
    = 25 °C
    60
    200
    T
    C
    = 25 °C
    100
    0
    0.001
    0
    0.01
    0.1
    1
    时间（s）
    10
    100
    1000
    0.001
    0.01
    0.1
    时间（s）
    1
    10
    单脉冲功率，结到环境
    单脉冲功率，结至外壳
    4 / 10
    www.freescale.net.cn

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