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SUD50N10-18P 参数 Datasheet PDF下载

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型号: SUD50N10-18P
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内容描述: N沟道100伏(D -S ), 175 ℃的MOSFET [N-Channel 100 V (D-S) 175 °C MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 860 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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SUD50N10-18P
N沟道
100 V( D- S) 175℃ MOSFET
特点
产品概述
V
DS
(V)
100
R
DS ( ON)
()
0.0185在V
GS
= 10 V
I
D
(A)
a
50
Q
g
(典型值)。
48 NC
• TrenchFET
®
功率MOSFET
• 100 % R
g
和UIS测试
•材料分类:
对于合规的定义,请参见
TO-252
应用
初级侧开关
•隔离式DC / DC转换器
D
的漏极连接到选项卡
G
D
S
G
顶部
意见
订货信息:
SUD50N10-18P -E3 (铅(Pb ) - 免费)
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃,除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
连续漏电流(T
J
= 150 °C)
T
C
= 100 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 100 °C
漏电流脉冲
连续源极 - 漏极二极管电流
单脉冲雪崩电流
雪崩能量
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
最大功率耗散
T
C
= 100 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 100 °C
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
P
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
I
D
符号
V
DS
V
GS
极限
100
± 20
50
a
39
8.2
b
5.8
b
100
50
a
2
b
45
101
136.4
68.2
3
b
1.5
b
- 55〜 175
°C
W
mJ
A
单位
V
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
b
最大结到外壳
注意事项:
一。包装有限。
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
40
0.85
最大
50
1.1
单位
° C / W
1 / 10
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