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SUD40N02_08_E3 参数 Datasheet PDF下载

SUD40N02_08_E3图片预览
型号: SUD40N02_08_E3
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内容描述: N沟道20 V (D -S ), 175 ℃的MOSFET [N-Channel 20 V (D-S) 175 °C MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 429 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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SUD40N02-08
N沟道
20 V ( D- S) 175℃ MOSFET
规格(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
V
GS
= 0 V,I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 125_C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 20 A
漏源导通电阻
正向跨导
r
DS ( ON)
g
fs
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 20 A,T
J
= 125_C
V
GS
= 2.5 V,I
D
= 20 A
V
DS
= 5 V,I
D
= 40 A
20
40
0.0068
0.0104
0.011
0.0085
0.013
0.014
S
W
20
0.6
"100
1
50
V
nA
mA
A
符号
测试条件
典型值
最大
单位
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极
收费
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DD
= 10 V ,R
L
= 0.25
W
I
D
^
40 A,V
= 4.5 V ,R
G
= 2.5
W
1
20
120
45
20
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V,I
D
= 40 A
,
,
V
GS
= 0 V, V
DS
= 20 V , F = 1兆赫
2660
730
375
26
5
7
3.7
35
190
70
35
ns
W
35
nC
pF
栅极电阻
导通延迟时间
c
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性(T
C
= 25_C)
脉冲电流
二极管的正向电压
源漏反向恢复时间
I
SM
V
SD
t
rr
I
F
= 100 A,V
GS
= 0 V
I
F
= 40 A, di / dt的= 100 A / MS
1.2
35
100
1.5
70
A
V
ns
笔记
一。通过设计保证,不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士,
占空比
v
2%.
Ç 。独立的工作温度。
2/5
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