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SUD40N02_08_E3 参数 Datasheet PDF下载

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型号: SUD40N02_08_E3
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内容描述: N沟道20 V (D -S ), 175 ℃的MOSFET [N-Channel 20 V (D-S) 175 °C MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 429 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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SUD40N02-08
N沟道
20 V ( D- S) 175℃ MOSFET
典型特征( 25_C除非另有说明)
输出特性
100
V
GS
= 4.5直通3 V
80
I
D
- 漏电流( A)
I
D
- 漏电流( A)
80
100
传输特性
60
2.5 V
60
40
2V
20
1, 0.5 V
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
40
T
C
= 125_C
20
25_C
0
0.0
- 55_C
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0.5
1.0
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
120
T
C
= - 55_C
r
DS ( ON)
- 导通电阻(
W
)
100
g
fs
- 跨导(S )
80
60
40
20
0
0
20
40
60
80
100
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
25_C
0.015
0.020
导通电阻与漏电流
V
GS
= 2.5 V
0.010
125_C
V
GS
= 4.5 V
0.005
0.000
0
20
40
60
80
100
I
D
- 漏电流( A)
4500
电容
12
V
GS
= 10 V
I
D
= 40 A
栅极电荷
3600
Ç - 电容(pF )
C
国际空间站
2700
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
9
6
1800
C
RSS
C
OSS
900
3
0
0
4
8
12
16
20
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
0
0
10
20
30
40
50
60
70
Q
g
- 总栅极电荷( NC)
3/5
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