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SUD40N02_08_E3 参数 Datasheet PDF下载

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型号: SUD40N02_08_E3
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内容描述: N沟道20 V (D -S ), 175 ℃的MOSFET [N-Channel 20 V (D-S) 175 °C MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 429 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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SUD40N02-08
N沟道
20 V ( D- S) 175℃ MOSFET
典型特征( 25_C除非另有说明)
2.0
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 20 A
I
S
- 源电流( A)
100
源极 - 漏极二极管正向电压
r
DS ( ON)
- 导通电阻(
W)
(归一化)
1.6
T
J
= 150_C
T
J
= 25_C
1.2
10
0.8
0.4
0.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
SD
- 源极到漏极电压(V )
T
J
- 结温( ° C)
热额定值
最大雪崩漏电流
与外壳温度
50
安全工作区
200
100
10
ms
有限
由R
DS ( ON)
100
ms
40
I
D
- 漏电流( A)
I
D
- 漏电流( A)
30
20
10
1毫秒
10
T
C
= 25_C
单脉冲
1
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
1
10
10毫秒
100毫秒
dc
0
T
C
- 外壳温度( ° C)
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
100
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
归瞬态热阻抗,结至外壳
10
-3
10
-2
1
方波脉冲持续时间(秒)
10
-1
10
100
600
4/5
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