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    SQ1470EH 参数 Datasheet PDF下载

    SQ1470EH图片预览
    型号： SQ1470EH
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 汽车N沟道30 V （D -S ）， 175 ℃的MOSFET [Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 ??C MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 11 页 / 910 K
    品牌： SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
     浏览型号SQ1470EH的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SQ1470EH的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SQ1470EH的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SQ1470EH的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SQ1470EH的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SQ1470EH的Datasheet PDF文件第7页浏览型号SQ1470EH的Datasheet PDF文件第8页浏览型号SQ1470EH的Datasheet PDF文件第9页  
    SQ1470EH
    汽车N沟道
    30 V （ D- S） 175℃ MOSFET
    典型特征
    （25℃ ，除非另有说明）
    0.5
    100
    0.2
    I
    S
    -
    来源
    电流（A ）
    V
    GS （ TH）
    方差（ V）
    10
    T
    J
    = 150
    °C
    1
    - 0.1
    I
    D
    = 5毫安
    - 0.4
    I
    D
    = 250 μA
    0.1
    T
    J
    = 25
    °C
    - 0.7
    0.01
    - 1.0
    - 50 - 25
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    175
    0.001
    0.0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1.0
    1.2
    T
    J
    - 温度（℃ ）
    V
    SD
    -
    源极到漏极
    电压（V）的
    阈值电压
    0.24
    R
    DS （ ON）
    - 导通电阻（标准化）
    2.0
    源漏二极管正向电压
    I
    D
    = 3.8 A
    1.7
    V
    GS
    = 4.5 V
    1.4
    V
    GS
    = 2.5 V
    1.1
    R
    DS （ ON）
    - 导通电阻（ Ω ）
    0.18
    0.12
    T
    J
    = 150
    °C
    0.06
    T
    J
    = 25
    °C
    0.00
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    V
    GS
    -
    栅极 - 源
    电压（V）的
    0.8
    0.5
    - 50 - 25
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    175
    T
    J
    - 结温（ ° C）
    导通电阻与栅极至源极电压
    40
    I
    D
    = 1毫安
    10
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    100
    导通电阻与结温
    I
    DM
    有限
    V
    DS
    - 漏极至源极电压（ V）
    38
    100 μs
    限于由R
    DS （ ON）
    *
    1
    I
    D
    有限
    0.1
    1毫秒
    10毫秒
    100毫秒
    1s, 10
    s,
    DC
    BVDSS有限公司
    36
    34
    32
    T
    C
    = 25
    °C
    单身
    脉冲
    30
    - 50 - 25
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    175
    0.01
    0.01
    T
    J
    - 结温（ ° C）
    0.1
    1
    10
    100
    V
    DS
    - 漏极至源极电压（ V）
    * V
    GS
    >最小V
    GS
    在r
    DS （ ON）
    is
    特定网络版
    漏源击穿与结温
    安全工作区
    4 / 11
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